【产品】ROHM低导通电阻的N沟道功率MOSFET RS6R035BH，漏源电压最大值为150V
RS6R035BH是ROHM推出的一款具有低导通电阻的N沟道功率MOSFET。在Ta=25°C条件下，其漏源电压最大值为150V，连续漏极电流（VGS=10V）最大值为±35A（*1），单脉冲雪崩电流最大值为18A（*3），单脉冲雪崩能量最大值为12mJ（*3），耗散功率最大值为73W（*1），适用于开关领域。
图1 产品外形
产品特性：
1) 低导通电阻
2)高功率封装（HSOP8）
3) 无铅电镀，符合RoHS标准
4) 无卤素
5) 经过100% Rg和UIS测试
应用领域：
• 开关
包装规格：
绝对最大额定值（Ta=25°C，除非另有说明）
*1 Tc=25℃，仅受允许的最高温度限制
*2 Pw≤10μs，占空比≤1%
*3 L⋍0.05mH, VDD=75V, RG=25Ω, 开始于Tj=25℃ Fig.3-1,3-2
*4 安装在铜板上（40×40×0.8mm）
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由tl翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】导通电阻最大值为55mΩ的N沟道功率MOSFET RCJ451N20 ，适用于开关应用
ROHM旗下的N沟道功率MOSFET-RCJ451N20 ，漏源电压为200V，导通电阻最大值为55mΩ，持续漏极电流为±45A（Tc=25℃），耗散功率（Tc=25℃）为211W。采用TO-263S封装形式，可用于开关应用。
【产品】HSMT8封装的N沟道功率MOSFET RH6P040BH，静态漏源导通电阻仅15.6mΩ
罗姆（ROHM）推出的RH6P040BH是一款N沟道功率MOSFET，该器件具有低导通电阻、高功率封装等特点。在绝对最大额定值（Ta =25℃）方面，其漏源电压为100V，连续漏极电流（VGS=10V）为±40A，耗散功率为59W。
【产品】采用无铅电镀，低导通电阻的N沟道功率MOSFET RD3L07BBG，规格为60V/115A
罗姆（ROHM）公司推出了一款采用TO-252封装的N沟道功率MOSFET——RD3L07BBG，该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，具有低导通电阻等特性，规格为60V/115A。
【产品】600V/±6A/40W的N沟道功率MOSFET R6006KNX，导通电阻最大仅0.83Ω
R6006KNX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达±6A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，R6006KNX的栅源电压为±20V（静态）或±30V（交流，频率＞1Hz），可承受单脉冲雪崩电流为1.1A，可承受单脉冲雪崩能量为65mJ可用于开关类应用。
HT8KE6 100V N沟道+N沟道功率MOSFET规格书
描述- 本资料为ROHM公司生产的HT8KE6型100V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、高功率小型封装（HSMT8）等特点，适用于开关电源等领域。
型号- HT8KE6
【产品】600V/±11A/53W的N沟道功率MOSFET R6011ENX，导通电阻最大仅0.39Ω
R6011ENX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达±11A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，可用于开关类应用。
【产品】600V/20A、TO-3PF封装的N沟道功率MOSFET R6020JNZ ，导通电阻最大仅0.234Ω
R6020JNZ是罗姆半导体集团推出的漏源电压为600V，连续漏极电流为20A的N沟道功率MOSFET，产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，具有快速反向恢复时间，快开关速度，低导通电阻的特点，适用于开关类应用。
HT8KE5 100V N沟道+N沟道功率MOSFET规格书
描述- 本资料为ROHM公司生产的HT8KE5型号100V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、高功率小型封装（HSMT8）等特点，适用于开关电源等领域。
型号- HT8KE5
【产品】漏源电压600V的N沟道功率MOSFET R60xxKNZ系列，采用TO-3PF封装
R60xxKNZ系列是ROHM推出的漏源电压600V的N沟道功率MOSFET，型号分别包括R6015KNZ、R6020KNZ、R6024KNZ、R6030KNZ、R6035KNZ五个型号，连续漏极电流依次为±15/±20/±24/±30/±35A。该系列产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，对环境友好，采用TO-3PF封装，适用于开关应用。
【产品】1200V/81A 碳化硅N沟道功率MOSFET裸片S4602，结温高达175℃
S4602是ROHM推出的一款碳化硅N沟道功率MOSFET裸片，漏源电压1200V，连续漏极电流81A，静态漏源导通电阻典型值仅为18mΩ(VGS=18V, ID=42A，Tvj=25°C)，适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源等场合。
HP8KE7 100V N沟道+N沟道功率MOSFET规格书
描述- 本资料为ROHM公司生产的HP8KE7型号100V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、小型表面贴装封装（HSOP8）等特点，适用于开关电源等领域。
型号- HP8KE7
SP8K41HZG 80V N沟道+N沟道功率MOSFET数据表
描述- 本资料为ROHM公司生产的SP8K41HZG型80V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、小型表面贴装封装（SOP8）、无铅镀层等特点，适用于开关电源等应用。
型号- SP8K41HZG
HP8KE6 100V N沟道+N沟道功率MOSFET规格书
描述- 本资料为ROHM公司生产的HP8KE6型100V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、小型表面贴装封装（HSOP8）等特点，适用于开关电源等领域。
型号- HP8KE6
【产品】600V/±9A的N沟道功率MOSFET R6009ENX，具有地导通电阻、开关速度快等特点
罗姆(ROHM)推出的一款N沟道功率MOSFET R6009ENX，漏源电压额定值为600V，连续漏极电流额定值为±9A（Tc=25℃），静态漏源导通电阻最大值仅为0.535Ω，导通损耗小且自身发热少，具有开关速度快、低导通电阻和无铅电镀（符合RoHS标准）等特点，是开关应用领域的优秀选择。
【产品】60V/±80A的N沟道功率MOSFET RD3L08BGN，100%Rg和UIS测试
RD3L08BGN是罗姆推出的低导通电阻、高功率小型封装的N沟道功率MOSFET，产品不含卤素，采用无铅电镀，符合RoHS标准，且通过了100%Rg和UIS测试，主要用于开关类应用。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论