【产品】ROHM低导通电阻的N沟道功率MOSFET RS6R035BH，漏源电压最大值为150V

时间： 2022-09-19 来源：ROHM

技术问答

RS6R035BH是ROHM推出的一款具有低导通电阻的N沟道功率MOSFET。在T_a=25°C条件下，其漏源电压最大值为150V，连续漏极电流（V_GS=10V）最大值为±35A^（^*1^），单脉冲雪崩电流最大值为18A^（^*3^），单脉冲雪崩能量最大值为12mJ^（*3），耗散功率最大值为73W^（^*1^），适用于开关领域。

图1 产品外形

产品特性：

1) 低导通电阻

2)高功率封装（HSOP8）

3) 无铅电镀，符合RoHS标准

4) 无卤素

5) 经过100% Rg和UIS测试

应用领域：

• 开关

包装规格：

绝对最大额定值（T_a=25°C，除非另有说明）

*1 T_c=25℃，仅受允许的最高温度限制

*2 Pw≤10μs，占空比≤1%

*3 L⋍0.05mH, V_DD=75V, R_G=25Ω, 开始于T_j=25℃ Fig.3-1,3-2

*4 安装在铜板上（40×40×0.8mm）

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