【产品】漏源电压100V的N沟道增强型MOSFET AM0292，采用TO-220封装
创瑞科技（AIT）推出的AM0292是一款100V N沟道增强型MOSFET，采用TO-220封装，通过100% UIS和Rg测试，具有高可靠性和坚固性。适用于开关电源的高效同步整流、不间断电源、硬开关和高频电路中。
产品特点
· 通过100% UIS和Rg测试
· 高可靠性和坚固性
· 采用TO-220封装
应用
· 开关电源的高效同步整流
· 不间断电源
· 硬开关和高频电路
电路图
主要参数
· 漏源电压VDS= 100V
· 栅源电压VGS= ±20V
· 连续漏极电流ID(A)= 120A
· 漏源导通电阻RDS(ON)= 4.8mΩ（最大值）@VGS=10V
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由宝丁翻译自AiT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】TO252-2封装、30V/50A的N沟道增强型功率MOSFET AM4102
AiT公司的N沟道增强型功率MOSFET AM4102，提供TO252-2封装，优异的散热包装，漏源极电压30V，栅源极电压±20V，连续漏极电流为50A。AM4102采用了先进的沟槽技术和设计，以提供极好的RDS(ON)和较低的门电荷，它可以用于各种各样的应用。
新产品 发布时间 : 2019-10-18
【产品】650V/12A N沟道增强型MOSFET RMP12N65IP/LD/TI/T2
RMP12N65IP、RMP12N65LD、RMP12N65TI、RMP12N65T2是丽正国际推出的四款N沟道增强型MOSFET，该系列器件使用自对准平面工艺和改进的端子技术，可以减少传导损耗，提高雪崩能量。
新产品 发布时间 : 2019-11-19
【产品】N沟道增强型MOSFET CMUDM7004，与CMUDM8004 P沟道增强型MOSFET互补
Central 的CMUDM7004 具有低栅极门槛电压0.5V，导通阻抗0.39Ω， ESD防护电压2kV，栅极总电荷0.15nC，应用在高速脉冲放大器、开关电源、供电变换器电路、电源管理、电机控制等产品中。与同系列的P沟道增强型MOSFET器件CMUDM8004紧密匹配。使它们成为了一对互补应用场合的理想MOSFET。
新产品 发布时间 : 2017-10-31
【产品】采用封装DFN8的N沟道增强型MOSFET AM7520，最高结温150℃
AiT推出的AM7520是一款N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM7520可以承受的绝对最大额定参数为：漏源电压30V、栅源电压±20V、连续漏极电流24A、最大耗散功率1.78W。
产品 发布时间 : 2021-12-13
【产品】阈值电压为0.6V~0.9V的N沟道增强型MOSFET，导通电阻为3.0Ω
CEDM7001是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道增强型MOSFET，功耗仅为100mW，有利于降低电路设计时的总功耗。该产品采用小型无铅化表面贴装封装，并采用N通道DMOS工艺制造，可为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计，主要用于负载/电源开关，DC-DC转换器，电池供电的便携式设备领域。
新产品 发布时间 : 2018-07-06
【应用】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A用于30W开关电源，RDS（ON）典型值仅为14mΩ
开关电源二次侧整流目前为了提升效率，常用同步整流来代替传统的肖特基整流，同步整流则需要用到要求导通阻抗较低的MOSFET，推荐扬杰科技的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A，采用高密度单元设计，漏源电压为100V，漏电流为40A，较低的导通阻抗满足开关电源降低损耗的需求。
应用方案 发布时间 : 2022-01-26
【产品】国产N沟道增强型MOSFET AP30H50Q，采用先进的沟槽技术，适用于电源管理等
铨力半导体推出一款采用PDFN3X3-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP30H50Q，采用先进的沟槽技术，具有漏源导通电阻低和栅极电荷低的特性，属于无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等。
产品 发布时间 : 2022-07-21
【产品】40V/60A N沟道增强型MOSFET RM60N40LD
RM60N40LD是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。在TC=25°C时，RM60N40LD可以承受的漏源电压最大额定值为40V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为60A，漏极脉冲电流最大额定值为200A，最大功率耗散为65W。
新产品 发布时间 : 2019-11-15
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论