【产品】漏-源电压100V的N型沟槽式MOSFET TTP60N10AT，具备低漏源导通电阻
无锡紫光微推出型号为TTP60N10AT的N型沟槽式MOSFET（N型Trench MOSFET），具有低漏源导通电阻，低栅极电荷等特性，且特别针对快速开关应用进行了优化，主要适用于DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流应用以及电信和工业应用领域中的隔离型DC/DC转换器等领域。
产品特性
采用沟槽式功率技术
低漏源导通电阻（RDS(ON)）特性
低栅极电荷特性
针对快速开关应用进行了优化
产品应用
DC/DC转换器和AC/DC转换器中的同步整流应用
电信和工业应用领域中的隔离型DC/DC转换器
绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
热阻
电气参数（TJ=25℃，除非另有说明）
注：
1. 重复额定值：脉冲宽度受限于最大结温
2. VDD=50V, L=0.3mH,RG=25Ω, 起始TJ=25℃
3. 脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤1%
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无锡紫光微MOS管选型表
无锡紫光微提供以下DT MOS，Multi-EPI Super Junction MOSFET，N-Channel DTMOS，N-Channel Trench MOSFET，P-Channel Trench MOSFET，P-Channel Trench MOSFET，Super-Junction Power MOSFET和Trench MOS的参数选型，ID(A)：1~180；RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)：1.3~1290；RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)：1.8~1540。
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产品型号
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品类
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V(BR)DSS(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)
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V(GS)thmin(V)
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V(GS)thmax(V)
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Ciss(pF)
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Qg(nC)
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封装
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TTD30N10AT
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N-Channel Trench MOSFET
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100
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20
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22
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27
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1
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2.4
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4529
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37
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TO-252
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
HGQ014N04B-G硅N沟道功率MOSFET
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型号- HGQ014N04B-G
HRS49N08 80V N沟道SGT MOSFET
描述- 本资料介绍了HRS49N08型80V N-Channel SGT MOSFET的特性、关键参数、电气特性、热阻特性、应用领域等详细信息。该MOSFET适用于同步整流、硬开关和高速电路，以及电信和工业领域的DC/DC转换。
型号- HRS49N08
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无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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500
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47
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2.5
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4
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0.043
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0.06
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
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型号- HRD49N08
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型号- HRLS49N08
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型号- WMB072N12LG2
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可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
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