【产品】总栅极电荷低至22nC，导通和关断损耗低于标准MOS
——耐压值800V，最大电流60A，适合大功率电源以及充电器设计
新电元公司的CoolMOS系列功率MOSFET产品，相比于标准功率MOSFET，具有损耗低、工作频率高的优势。该系列产品属于N沟道MOSFET，耐压值可达800V，最大电流可达60A，适合大功率电源以及充电器设计。
新电元CoolMOS系列MOSFET具有超低总栅极电荷，其Qg最小仅22nC。相比于标准MOS，其具有更低的导通和关断损耗，提升了CoolMOS系列产品在系统中的工作效率。
该系列MOSFET具有最低60pF的输出电容，降低了MOSFET在开通过程中的损耗。同时最小760pF的输入电容，以及低至1pF的反向电容，确保其更适合高频率开关应用。
导通电阻直接决定了满载应用中导通损耗以及壳温，而新电元CoolMOS系列产品的导通阻抗最低0.04Ω，可实现更低的损耗，同时结壳热阻最小值0.89℃/W，发热更小，可使功率电路中热设计更简单，更有助于小型化设计。
新电元CoolMOS系列功率MOSFET的特点：
• N沟道MOSFET
• 额定工作电压600V/800V
• 额定工作电流范围7~60A
• 导通阻抗范围0.04~0.54Ω
• 总栅极电荷Qg最小22nC
• 开启电压为3V
• 输入电容范围760~7000pF
• 输出电容范围60~2200pF
• 最小反向电容1pF
• 最高结温150℃，结壳热阻最小值0.89℃/W
应用范围：
• 功率因数校正（PFC）
• AC-DC电源转换器
• 充电器
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用户18396822 Lv8 2018-01-11引用了 -
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冷若冰 Lv7. 资深专家 2017-12-21好产品 -
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大欢哥 Lv7. 资深专家 2017-11-09学习了 谢谢分享
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