【产品】500V/4.5A的N沟道MOSFET SLP5N50S2/SLF5N50S2，采用TO-220/-F封装

2020-02-29 美浦森
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美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLP5N50S2和SLF5N50S2，是利用先进的平面条形DMOS技术生产的功率场效应管，分别采用TO-220和TO-220F封装。这项先进的技术是专为尽可能减小导通电阻、提供出色的开关性能以及在雪崩和换相模式下能够承受高能量脉冲所设计的。适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。


图1 产品封装实物图

 

主要特性：

4.5A，500V，RDS(ON)typ =1.35Ω@ VGS=10V

低栅极电荷（典型值41nC）

高鲁棒性

快速开关切换

100%雪崩测试

更好的dv/dt能力


表1 极限参数


表2 热阻值


表3 电气特性

技术顾问：进击的大马猴
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台：世强硬创平台www.sekorm.com
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N沟道MOSFET 高效率开关电源 基于半桥拓扑的有源功率因数校正 SLP5N50S2 SLF5N50S2 美浦森 管状电机

本文由董慧翻译自美浦森，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

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  • terrydl Lv9. 科学家 2020-03-01
    学习了
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