【产品】附加效率高达76%的140W氮化镓功率放大器CHKA012a99F,适用于雷达系统、射频大功率应用
UMS(United Monolithic Semiconductors)是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商,2019年推出了一款140W的氮化镓高电子迁移率功率晶体管CHKA012a99F。该产品能够为4GHz以下的大功率应用提供比较好的解决方案。
CHKA012A99F采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术,SIC衬底,输出功率可达140W,小信号增益达19dB,CHKA012A99F能够在高电压(50V)条件下工作,具有氮化镓器件的特有的高附加效率(高达76%)。
CHKA012A99F为裸芯片形式,需要外部匹配电路。其内部由8个17W的单元组成,这些单元通过内部网络链接,在性能和稳定性上做了最好的平衡。符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006规范,是一款绿色环保产品。
CHKA012a99F产品特性:
• 采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术
• 小信号增益达19dB,可对微弱信号进行放大
• 高功率(140W)、高附加效率(高达76%)
• 高达4GHz的工作频率的宽带能力
• 兼容脉冲和连续工作(CW)模式
• 符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006规范
• 存储温度范围:-55℃~150℃,最高结温230℃
CHKA012a99F应用领域:
• 雷达系统
• 射频大功率应用
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UMS氮化镓(GaN)功率晶体管选型表
UMS氮化镓(GaN)功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5,Saturated Power(W):14-180,Bias(mA):0.1-1300,Bias(V):30-50.
产品型号
|
品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
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Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
|
PAE(%) @ Freq(GHz)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
CHKA011aSXA
|
氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
|
Up to 1.5
|
130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
|
Ceramic Metal Flange
|
选型表 - UMS 立即选型
CHA6682-QKB 24 - 27.5GHz 4W Linear Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC in QFN package
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