【产品】100V/130A的N沟道MOSFET TMP140N10A，采用TO-220封装

时间： 2019-10-26 来源：无锡紫光微

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无锡紫光微电子有限公司是紫光集团旗下半导体产业链中的核心企业之一，专注于先进半导体功率器件的研发和销售。

TMP140N10A是无锡紫光微电子推出的漏源电压为100V、连续漏极电流为130A的N沟道MOSFET，采用TO-220封装，标记为140N10A。产品采用高密度单元设计，导通电阻极低；在雪崩电压和电流上具有完美的表现；高EAS保证了产品的高稳定性；封装的散热性能出色。TMP140N10A适用于电源开关应用，硬开关和高频电路，不间断电源。

特性：

超低导通电阻的高密度单元设计

雪崩电压和电流上具有完美的表现

高EAS，高稳定性

散热性能出色的封装

应用：

电源开关应用

硬开关和高频电路

不间断电源

绝对最大额定值特性:

热特性：

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产品型号	品类	V(BR)DSS(V)	ID(A)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)	V(GS)thmin(V)	V(GS)thmax(V)	Ciss(pF)	Qg(nC)	封装
TTD30N10AT	N-Channel Trench MOSFET	100	20	22	27	1	2.4	4529	37	TO-252

选型表 - 无锡紫光微立即选型

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