【产品】车规级80V eGaN®FET氮化镓场效应晶体管EPC2214，帮助激光雷达系统看得更清晰

时间： 2019-05-09 来源：EPC

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宜普电源转换公司（EPC）宣布再多一个车用氮化镓(eGaN)器件（80 V的EPC2214）成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。

基于氮化镓（eGaN）技术的产品已进行量产超过9年，累计了数十亿小时的实际汽车应用经验，包括全自动驾驶汽车的激光雷达及雷达系统、应用于数据中心计算机的48 V–12 V DC/DC转换器、具有超高保真度的信息娱乐系统及高强度的货车头灯等应用。这些全新器件已经通过严格的AEC Q101测试认证，随后会推出更多面向严峻的车用环境的分立晶体管及集成电路。

EPC2214为80 V、20 mΩ氮化镓场效应晶体管元件，超小占板面积（1.8平方毫米），脉冲电流为47 A，非常适合在激光雷达（lidar）系统发射激光，因为FET触发激光信号、产生大电流、极短脉宽，从而实现更高的分辨率，而更大脉冲电流使得激光雷达系统可以看到更远的景物。这两个特性，加上小尺寸及低成本，使得eGaN FET除了支持严峻的车用激光雷达系统外，也是雷达及超声波传感器的理想元件。

要通过AEC Q101认证测试，EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）必需通过在严峻环境及不同偏压的条件下的各种测试，包括偏压湿度测试（H3TRB）、高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）、温度循环（TC）及其它多种不同的测试。要留意的是，EPC器件的芯片级封装也通过采用传统封装的器件的所有相同测试标准，证明芯片级封装具备卓越性能而器件同时保持坚固耐用及其高可靠性。这些eGaN器件在符合汽车质量管理系统标准IATF 16949的设备中生产。

EPC公司的首席执行官及共同创办人Alex Lidow称：“这个通过认证的车规级氮化镓器件，是我们恒常化推出车用晶体管及集成电路产品路线图的最新器件，旨在全力支持打造自动驾驶汽车的未来、节省汽油的使用量及提高驾驶的安全性。与目前车用、日益老化的硅基功率MOSFET相比，基于eGaN技术的产品的开关更快速、尺寸更小、效率更高、成本更低及更可靠。”

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2017-12-01 - 新产品代理服务技术支持采购服务

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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS

Enhancement Mode Power Transistor

选型表 - EPC 立即选型

面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路应用简介

本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能，实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等，并提供了相关器件型号和配置的详细信息。

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2024/8/27 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

【经验】氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术，实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关

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2022-06-07 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

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商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

EPC氮化镓®FET汽车认证报告EPC2252

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2023/4/13 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

【选型】EPC氮化镓场效应晶体管用于多线激光雷达，具备小封装，开关频率可达100MHz

某用户想研制一款多线激光雷达，主要应用于交通领域，想找一款效应晶体管用来驱动激光器，经过评估我们推荐了EPC氮化镓场效应晶体管EPC2221，它具备小封装，尺寸仅为1.35x1.35mm，开关频率可达100MHz。

2023-02-14 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介

本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及其集成电路的应用范围，包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势，如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时，提供了eGaN®SR系列产品的参数对比，并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外，还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。

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2024/6/11 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术，旨在提供更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本。与硅MOSFET相比，eGaN FET具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。文章还强调了eGaN FET在汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明、无线充电和太阳能应用等领域的应用优势。此外，文章还提到了eGaN FET的可靠性、成本效益和全面设计支持。

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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/26 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

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2023/9/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能全新功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN® FET技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。

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2023/7/12 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN® FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复方面的性能优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN® FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。

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2023/2/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，包括更低的阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复。此外，氮化镓器件具有低成本、可靠性高、易于使用和全面设计支持等特点。文章还列举了eGaN® FET在不同应用中的优势，如汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2023/1/25 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细介绍了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。

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2022/12/20 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，eGaN® FET器件在成本效益、可靠性、简单易用性和全面设计支持方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN® FET器件的应用实例和设计资源。

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2022/12/9 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细说明了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的性能提升，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。

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2022年11月 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗和更小的电容。此外，eGaN® FET器件在成本效益、可靠性、简单易用性方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN® FET器件的应用实例和设计资源。

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2022/10/20 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有成本效益，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/9/7 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。

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2022/4/4 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还提到了eGaN FET的应用领域，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

EPC - 多模无线电源演示套件,开发板,放大器电路板,氮化镓集成电路,无线接收器件,升压转换器,增强型氮化镓功率晶体管,演示板,驱动器演示板,ETOF™ 激光驱动集成电路,无线电源演示套件,集成电路,ETOF™ 激光驱动器,氮化镓场效应晶体管,电机驱动器演示板,宽带隙器件,EGAN INTEGRATED CIRCUIT,功率模块,EGAN FET,氮化镓晶体管,评估模块,砖型LLC转换器评估模块,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC9014,EPC9097,EPC90142,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2152,EPC2031,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9166,EPC9046,EPC9167,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC9167HC,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9170,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2010C,EPC2034C,EPC9148,EPC23101,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC7014,EPC9037,EPC21601,EPC90122,EPC9030,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150,激光雷达,无线电源,汽车,马达驱动器,包络跟踪,医疗应用,DC/DC转换器,负载点转换器,模拟开关,LED照明,电机驱动器,无线充电,D类音频放大器,射频放大器

2022/3/2 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。基于氮化镓技术的器件可在不同的功率及电压条件下高效地工作。

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2022/2/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出低阻抗、低导通损耗、快速开关、低开关损耗和没有反向恢复等特点。此外，eGaN FET器件具有低成本、成熟工艺、低系统成本、简单易用、可靠性和耐辐射等优点。文章还提供了eGaN FET器件的选型和设计资源，以及其在不同应用中的演示板信息。

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2021/11/17 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗和更小的电容。此外，eGaN FET器件在成本效益、可靠性、耐辐射性等方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN FET器件的应用实例和选型指南。

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2021 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术通过提供快速开关、高效率和紧凑尺寸，支持长距离和短距离激光雷达系统，实现更高分辨率、更远距离和更安全的应用。文档详细介绍了eGaN技术在激光雷达设计中的优势，包括高电流脉冲、窄脉冲宽度演示板和eToF™激光驱动器ICs。此外，还提供了推荐器件和配置信息，以支持不同类型的激光雷达系统。

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2024/3/7 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术通过提供快速开关、高效率和小型封装，支持更高分辨率、更远距离和更安全的ToF/Lidar系统。文档详细介绍了不同型号的eGaN产品，包括高电流脉冲激光二极管驱动器演示板和eToF™激光驱动器IC，以及推荐的eGaN器件用于ToF/Lidar系统。

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2023/11/29 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术通过提供快速开关、高效率和紧凑尺寸，支持长距离和短距离激光雷达系统，实现更高分辨率、更远距离和更安全的应用。文档还提供了相关产品型号、配置和功能信息，包括激光二极管驱动器演示板和eToF™激光驱动器IC。

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2023/10/13 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介

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2023/1/10 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术能够提供快速开关、高效率和小型化设计，适用于长距离和短距离激光雷达系统。文档中详细列出了适用于不同应用场景的eGaN产品，包括高电流脉冲激光二极管驱动器演示板和eToF™激光驱动器IC。此外，还提供了推荐设备列表，包括不同配置的eGaN晶体管和IC，以及相应的演示板信息。

EPC - HIGH CURRENT, NARROW PULSE WIDTH DEMO BOARDS,大电流、窄脉冲宽度演示板,氮化镓®场效应晶体管,氮化镓集成电路,EGAN® FETS,EGAN®集成电路,大电流脉冲激光二极管驱动演示板,HIGH CURRENT PULSED LASER DIODE DRIVER DEMO BOARD,ETOF™ LASER DRIVER ICS,RECOMMENDED DEVICES,ETOF™激光驱动器IC,GAN TRANSISTORS,推荐的设备,EGAN® ICS,氮化镓晶体管,GAN INTEGRATED CIRCUITS,EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2218,EPC2016C,EPC9126,EPC9049,EPC2052,EPC2051,EPC2055,EPC9087,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2306,EPC9010C,EPC8002,EPC2065,EPC2221,EPC8004,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9092,EPC9050,EPC90146,EPC2219,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2034C,EPC2014C,EPC9507,EPC2071,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC9126HC,EPC8010,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC9005C,EPC2204,EPC2007C,EPC2040,EPC9156,EPC21603,EPC21601,EPC2044,EPC9030,EPC90123,EPC9154,EPC9150,EPC90128,LONG RANGE LIDAR,短程激光雷达,远程激光雷达,SHORT RANGE LIDAR,飞行时间/激光雷达,TIME-OF-FLIGHT/LIDAR

2022/10/10 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术能够提供快速开关、高效率和小型化设计，适用于长距离和短距离激光雷达系统。文档中详细列出了不同型号的eGaN器件及其在激光雷达系统中的应用，包括高电流脉冲激光二极管驱动器演示板和eToF™激光驱动器IC。此外，还提供了推荐用于时间飞行/激光雷达系统的eGaN器件列表，包括其关键参数和演示板信息。

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2022/9/7 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术能够提供快速开关、高效率和小型化设计，适用于长距离和短距离激光雷达系统。文档中详细列出了适用于不同应用场景的eGaN产品，包括高电流脉冲激光二极管驱动器演示板和eToF™激光驱动器IC。此外，还提供了推荐设备列表，包括eGaN晶体管和IC的详细规格和演示板信息。

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2022/5/6 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术通过提供快速开关、高效率和紧凑尺寸，优化了激光雷达系统的性能，使其能够实现更远、更快、更清晰的探测。文档详细介绍了不同型号的eGaN器件，包括其技术参数、配置和功能，以及适用于时间飞行/激光雷达系统的推荐器件。

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2024/1/3 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介

本文档主要介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN®技术能够提供快速开关、高效率和小型化设计，适用于不同距离的激光雷达系统，包括长距离的自动驾驶车辆和短距离的碰撞避免。文档中详细介绍了eGaN®技术的优势、相关产品、演示板和推荐设备，旨在帮助设计者优化激光雷达系统的性能。

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2022/11/16 - 应用笔记或设计指南 - AB005 代理服务技术支持采购服务

EPC2934C氮化镓场效应晶体管材料成分声明

本资料为EPC2934C元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2024年5月6日发布。声明中详细列出了该元器件的各组成部分及其所含物质，包括硅、氮化镓、铝、钛、铜、钨、聚酰亚胺等，并提供了每种物质的CAS编号、重量百分比和总重量。声明强调，所提供的数据为估算值，可能因技术要求和开发而变化，EPC可能随时更新此文件，且声明可能不包括最终产品中电气设备内掺杂剂和金属材料的微量信息。

EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2934C

5/6/2024 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

【选型】氮化镓场效应晶体管EPC2045用于多线激光雷达，脉冲电流130A，耐压100V

某客户在研制一款多线激光雷达，需要用到一款效应晶体管，要求高频率，耐压可达100V ，脉冲电流至少120A。依据客户要求，我们推荐了EPC的氮化镓场效应晶体管EPC2045，脉冲电流可达130A，耐压可达100V，RDS典型值5.6mΩ。

2023-06-13 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

EPC氮化镓晶体管选型表

EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。

产品型号	品类	最大耐压（V）	持续电流(A)	导通阻抗(mΩ)	导通电荷(nC)	峰值电流(A)	封装（mm)
EPC2040	Enhancement Mode Power Transistor	15V	3.4A	30mΩ	0.745nC	28A	BGA 0.85 mm*1.2mm