【选型】60V耐压逆变器MOSFET模块MG031N助力车载24V电源系统车载油泵设计,典型导通阻抗低至2.9mΩ

2019-12-03 Shindengen
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汽车电子油泵一般以直流无刷电机为主,其电机逆变需要三相全桥拓扑电路实现DC/AC转换,典型应用电路示意图参考如下图1所示,常用的开关器件为低压、大电流功率MOSFET设计

图1:直流无刷电机油泵系统


汽车电源系统一般为12VDC和24VDC,针对12V电源系统,考虑到电机反电动势和电压裕量,如上的功率MOSFET耐压选择40V即可满足设计需求;而24V电源系统,一般需要选择耐压为60V的功率MOSFET方可满足设计需求。


为实现车载24V系统油泵/水泵小型化设计,本文推荐SHINDENGEN新电元)一款耐压为60V(VDSS)、额定电流112A(ID)、典型导通阻抗为2.9mΩ、最大结壳热阻0.97℃/W的六合一逆变器MOSFET模块MG031N具有超低的导通损耗和极低的发热特性,尤其适用于空间封闭的应用场景,不过,其自身不具有绝缘保护能力,典型电性参数参考如下图2所示。


2Shindengen(新电元)功率MOSFET模块MG031N实物图


Shindengen(新电元)功率MOSFET模块MG031N采用六合一逆变器MOSFET模块设计,封装尺寸L x W x H为44mm x 14mm x 12.5mm,其封装尺寸示意图参考如下图3所示。


3Shindengen(新电元)功率MOSFET模块MG031N封装尺寸示意图

 

考虑到MG031N是采用非绝缘设计,为避免因高压通过散热器传导出现漏电事故,必须对散热器和MOSFET模块MG031N表面之间加入一款高绝缘耐压的导热绝缘垫片做保护,可参考如下图4所示。


4Shindengen(新电元)功率MOSFET模块MG031N散热设计

 


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型号- MF2003SV,P 50 LF 10 SLK,D5FY6SY,MG031B090004A,SL SERIES,DL04 -18 F1,P 74 LF 10 GNK,P 24 LF4QLK,D5FY6ST,DG1S4,P 240 FZ4QNKA,D1FT4A,DL04 -36 F1,ST06 -30 CE,D1 FS4,M SERIES,ST06CE SERIES,M1FL 20 U,MG031MD 110006A,ST06 -33 CE,P 36 LF 20 GNK,S SERIES,P 25 LF 12 SLK,D 10 FY 60 VE,P 18 LF6QLK,P 180 LF4GNK,M3FL 20 U,DL04 -18 F1,D1 FT4,D1 FT 10 A,MG031G 148004 A,D5FY 60K,D 15 FY 6ST,D3CE 20 LUS,MG031Y,D1 FT 15 A,D1 FT 10,MG031L080006A,D1 FS4A,ST 70 -27 MF,D5FY 10 SY,MG031V,MG068,ST06 -36 CE,MG056C,MG056D,MG067,MG064,J,P 58 FZ 20 GNKA,D5FY 10 ST,D 10 FY 15 ST,MG032D,M1 FS4,M,MG056A,P 70 LF4QLK,S,D5FY 60K,D 25 FD 60 V,SL,MG032A 4207 R5A,M1FE 60,D 10 FY 10 SY,ST06 -39 CE,D1 FL 20 U,D 10 FY 10 ST,D 10 FY 6 SY,MG055B,J SERIES,MG055C,MG055D,MG055A,D5FY 15 ST,P 72 LF7R5SLK,D1 FJ4,D5FE 60,D2FL 20 U,EETMOS 5 SERIES,D 10 FY 4 R5SY,MG031S,D 15 FY 15 ST,MF2007SW,ST 70 -27 FZ,P 120 LF6GNK,MG048,D3FE 60,D3CE4S,MG054A,MF 2007 SW,D3CE 15 ST,P 140 LF4QLK,D 15 FY 10 SY,ST06CE,D 15 FR 4ST,P 105 LF4QLK,M1 FM3,D 15 FY4R5ST,D 15 FY 10 ST,DG1M3A,P 240 FZ4GNKA,MG055,MG056,P 38 LF6QLK,P 46 LF7R5SLK,DL04,M1FE 40,P 32 LF 10 SLK,M3FE 60,D 20 FR4R5S,M1FJ4,P 170 FZ6QNKA,D 15 FY 4 R5SY,EETMOS 4 SERIES,DG1N 15 A,MG048A,P 240 FZ6GNKA,EETMOS 4,D 10 FY4R5ST,D3FJ 10,P 40 LF 12 SLK,D 15 FY 6 SY,MG064A,MG064B,DG1M3,MG064C,EETMOS 5,MG048B,D3CE 60 VE,D1FE 60,D1 FM3,D5FY4R5ST,D 20 FR 4ST,ST06 -27 CE,P 64 LF6QLK,D5FY 20 SN,D5FY4R5SY,D 10 FY 6ST,DL04 -33 F1,MG032B 420010 A,DL04 SERIES,M2FL 20 U,P 130 FZ 10 GNKA,MG031,MG031MC 148004 A,MG032,D1 FJ 10,P 98 LF6QLK,ST06 -18 CE,DG1J 10 A,MG031N 110006 A,MG031E 120004 A

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【产品】400V,9A的高压N沟道功率MOSFET,大功率电路设计首选

新电元的P9B40HP2是一款SMD封装的N沟道功率MOSFET,兼具小尺寸、低噪音等优点,其结壳热阻θjc最大值仅为3.12℃/W,可用于开关电路、驱动器、逆变器等电子电路中。

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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。

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