【产品】瑶芯微推出超结功率MOSFET AKS65N6K0FM，漏源电压最大额定值高达650V，EMI特性更优
瑶芯微推出型号为AKS65N6K0FM的超结功率MOSFET，该器件能为客户应用提供良好的FOM性能，特别对于SMPS（开关电源）应用具有更优的EMI（电磁干扰）特性。
最大额定参数值和电气参数方面（TA=25℃），器件漏源电压最大额定值高达650V，持续漏极电流最大额定值高达8A（TC=25℃，最大漏极电流受限于器件最高结温)，栅源电压最大额定值为±30V，器件耗散功率最大额定值为21W（TC=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃。器件主要应用于高频开关应用，快速充电器和适配器以及PC、服务器和通信电源等领域。
器件特征
低FOM RDS(ON)×QG
EMI特性更优
100% UIS测试
符合RoHS标准
无卤器件
器件应用领域
高频开关应用
快速充电器和适配器
PC/服务器/通信电源
最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
热阻值
Note：
1.最大漏极电流受限于器件最高结温；
2.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制；
3.L=10mH，VDD=150V，IAS=5A，RG=25Ω，TJ= 25℃开始
4.贴装在最小PCB板上；
电气参数（TJ = 25℃，除非另有说明）
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