【产品】MCU集成USB2.0+快速充电功能，苹果设备也能充

时间： 2019-07-05 来源：世强

技术问答

——兼容BC 1.2标准，通过苹果MFi认证，低成本电池供电系统的不二选

RL78/G1C是RENESAS推出的一款可支持USB通信和快速充电功能的紧凑型MCU，可实现真正的低功耗系统设计。结合其内部丰富的外设资源，该款MCU适合用于采用USB接口的通信设备以及采用USB接口进行充电的设备。

出色的性能表现轻松满足简单设备的设计要求
RL78/G1C采用16位内核，三级流水线结构，最高运行频率可达24MHz，运算能力可达31DMIPS。可在1~2个时钟周期内完成86%的指令，结合其内部集成的硬件乘法器、除法器以及乘法累加器，可有效降低CPU运行负荷，轻松完成较复杂的信号处理任务。

该系列MCU内部最大RAM空间为5.5KB，Flash空间可达32KB，无需额外扩展存储空间，即可满足功能较为简单的办公设备和医疗健康设备的设计要求，并且还集成了2KB的Data Flash空间；其寿命可达100万次擦写，可用于非易失性数据存储。由于普通外挂EEPROM进行数据读写时，程序指令需进行较长时间等待，严重影响运行速度，而RL78/G1C的存储空间即使在进行Data Flash读写过程中，程序指令也可以正常执行，极大提升了CPU运行的效率。

经苹果MFi认证的快速USB充电功能
RL78/G1C具备丰富的USB功能。其可支持USB 2.0协议规范，可提供2个主机通道或者1个功能通道。相比于目前市面上很多仅支持从机USB接口的MCU产品，可作为主机的RL78/G1C无需额外电路设计，即可完成对从属USB设备的控制，应用更加广泛。RL78/G1C的通信速度既支持最高速度12Mbps的全速模式，也支持最高速度1.5Mbps的低速模式，该速度指标可以满足像USB键盘、USB鼠标这类低数据率的产品。

RL78/G1C支持快速USB充电功能。支持2.1A或1.0A充电模式，并符合BC 1.2规范要求。并且该款MCU的USB充电功能已经通过苹果MFi认证，用户可以将该款MCU用于采用USB接口充电的苹果设备，如iPhone、iPad等。

真正的低功耗平台电池供电系统的不二选
RL78/G1C是一款真正的低功耗MCU，其采用2.4V~5.5V范围的宽电压供电，在低电压下可以有效降低系统功耗。同时该系列MCU的运行功耗可低至71uA/MHz，通过降低运行频率也可有效降低系统功耗。

RL78/G1C可支持Snooze、Halt、Stop三种低功耗模式，其中新型的Snooze模式可让高功耗的CPU处于待机状态，而保持A/D转换器、串行数据接收器的正常工作，CPU仅在出现目标事件时被唤醒，减少了CPU处于运行状态的时间，从而极大降低了系统功耗。该系列MCU在Halt模式下功耗低至0.57uA，而在Stop模式下时，功耗最低仅0.23uA，因此非常适合采用电池供电的系统。

此外，RL78/G1C内部集成的USB功能的工作电流也极低，其USB操作最低电流消耗仅4mA，达到全球最低水平。

集成丰富外设资源你要的低成本系统设计
RL78/G1C集成了丰富的外设资源，适合低成本系统的设计。该款MCU集成了分辨率达10bit的ADC，最快转换时间仅2.1us，用户无需使用外部AD芯片，直接配置片上ADC功能即可进行传感器输出模拟信号的采集。对于需要监控系统运行温度的应用，用户可直接通过片上集成的温度传感器进行温度信息的采集，避免了外部温度传感器的使用。同时，其还集成了精度高达1%、频率达24MHz的振荡器，可以节省BOM中外部高速晶振的使用。

RL78/G1C系列MCU的工作温度最高可达105℃，可满足各类消费电子以及工业电子的设计要求。其典型应用包括手机电池、USB充电器、自动贩卖机、打印机、DVD播放器、智能手机外设、测量设备、U盘等。

RL78/G1C系列MCU的特点及优势：
• 16位RL78内核，运算能力可达31DMIPS

• 集成乘法器、除法器、乘法累加器

• RAM容量最大5.5KB，程序Flash最大容量32KB，Data Flash容量最大2KB

• 集成USB 2.0接口，支持全速（12Mbps）和低速（1.5Mbps）模式

• 支持USB充电功能，充电电流2.1A/1.0A，符合BC 1.2规范，通过苹果MFi认证

• 运行功耗最低71uA/MHz，功耗最低仅0.23uA

• 集成分辨率达10bit的ADC，最快转换时间仅2.1us

• 集成I2C主机（x2）、I2C多主机（x1）、CSI（x2）、UART（x1）接口

• 集成温度传感器、24MHz（精度1%）振荡器

• 工作温度范围：-40℃~+85℃或-40℃~+105℃

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宇宙星神 Lv6. 高级专家 2018-07-06

学习了
LTtongxue Lv6. 高级专家 2018-06-20

不错。
墨菲 Lv5. 技术专家 2017-12-31

真心不错

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选型指南 - RENESAS - R01CP0003EJ0401 PDF 中文下载

使用开发环境CS+进行仿真调试时，如何实时查看变量更新？

在CS+环境中通过设置RL78 Emulator(Debug Tool)->Debug Tool Setting->Access Memory While Running->Access by stopping execution为YES，即可在仿真调试时实时查看变量更新。

技术问答发布时间 : 2017-05-05

使用RL78开发环境CS+进行编译时，如何查看ROM、RAM容量使用了多少?

CS+编译器中通过以下流程设置CA78K0R(Build Tool)->Variables/Functions Relocation Options->ROM/RAM Amount Information->Output ROM/RAM usage为YES，即可在工程编译时输出ROM/RAM用量信息。

技术问答发布时间 : 2017-05-05

瑞萨MCU RL78的flash操作中EEL、FDL、FSL各个库之间的区别是什么？

EEL为EEPROM仿真库，用户可使用此库来访问数据内存区，该方法类似于访问外部EEPROM，使用此库时，不用管理对数据区闪存写和擦除操作，其占用flash容量大，需配合FDL库来操作；FDL为数据存储区仿真库，可通过此库操作数据区，需要人为定义地址和数据长度，占用flash空间较EEL略少，但占用RAM大； FSL为程序存储区存储区仿真库，客户可使用此库访问程序存储区，一般用于程序自升级操作。

技术问答发布时间 : 2017-05-05

RL78系列MCU中的LVD（低电压检测功能）有哪几种工作模式？

低电压检测电路和POR电路很相似，也是监视MCU工作电压的电路。只是LVD是把工作电压和一个用户设定的检测电压相比较，然后根据比较的结果，决定是产生一个内部复位信号，还是产生一个内部中断信号。LVD有一个优点，就是允许用用户设置选项字节，检测电压的值，可以选择的值有14种。RL78系列MCU的LVD有3种工作模式：1）中断和复位模式。当工作电压VDD小于电压阈值时，先产生一个中断，然后，再进入内部复位。当VDD大于或等于电压阈值时，解除内部复位。2）复位模式。当VDD小于电压阈值时，产生内部复位。当VDD大于阈值时，解除内部复位。3）中断模式。在VDD下降期间，如果VDD小于电压阈值，就产生一个内部中断。此外，在VDD上升期间，也产生一个内部中断。

技术问答发布时间 : 2017-07-25

RL78产品中，在Flash中有一块名字为Mirror Area的区域，这一块区域的作用是什么？

通常分配在程序闪存中的常数必须用FAR寻址方式，也就是要用到ES寄存器。这种方法的缺点是会降低程序执行的速度。为了克服这个缺点，RL78采用了一个镜像区域，用于把一个特殊程序闪存区域拷贝到高64KB范围，并允许快速16位RAM访问那些在程序闪存中的常数。镜像区域的大小取决于RAM的大小。例如，一个有1.8Kb RAM的芯片，最大镜像区域是58.25KB，一般来说，RAM越大，镜像区域就越小。

技术问答发布时间 : 2017-05-05

使用EZ-CUBE仿真调试RL78/G13/R5F100PJ时，仿真器开关如何设置？与目标板之间如何对应连接？

1、开关设置为：SW-1选择M2，SW-2选择Int.Clock，SW-3选择Debug Mode，SW-4根据实际目标设备电源使用选择，SW-5选择Other；2、电路连接只需要使用4根线连接至MCU即可，EZ-CUBE对应的线序分别是1-GND、3-VDD、7-RESET、8-TOOL0。

技术问答发布时间 : 2017-05-10

【应用】瑞萨16位MCU RL78/G1G实现提高白色家电能效和系统安全性

为了解决上述BLDC电机控制难题，MCU供应商提供广泛的软件开发支持，使MCU可以在转子静止或者高转速下检测转子位置。同时，使用BLDC控制转换为无传感器电机也需要响应的硬件支持，本文推荐瑞萨提供的BLDC微控制器解决方案。

应用方案发布时间 : 2018-09-30

16位RL78/G13系列单片机的看门狗如何关闭？

16位RL78/G13系列单片机的看门狗可通过设置选项字节进行关闭，设置选项字节000C0H地址的BIT4为0，即可关闭看门狗。

技术问答发布时间 : 2017-05-05

16位MCU R5F104BGAFP的dataflash擦写次数能保证多少次？

R5F104BGAFP的dataflash在25度数据能保持一年的测试条件下可以保证1000000次的擦写。需注意：1、1次改写是指 1次擦除+擦除后的1次编程。保持年数是指从1次改写到下次改写为止的期间。2、这是使用闪存编程器和本公司提供的库程序的情况。3、此特性表示闪存的特性，是本公司的可靠性试验的结果。

技术问答发布时间 : 2017-05-10

Renesas（瑞萨电子） RZ/A1嵌入式ARM®微处理器，HMI设计的理想选择

型号- RZ/A1M,RZ/A1L,R7S721000VCFP#AA0,R7S721021,R7S721010,R7S721010VLFP#AA0,R7S721020,R7S721031,R7S721031VCFP#AA0,RZ/A1H,R7S721030,R7S721001VCBG#AC0,RZ/A1LU,RZ/A1LC,R7S721001,R7S721020VCFP#AA1,R7S721021VCFP#AA1,R7S721000,R7S721011,R7S721011VCBG#AC0,R7S721020VLFP#YJ0,R7S721030VCBG#AC0

商品及供应商介绍 - RENESAS - 2017年03月01日 PDF 中文下载