中微半导凭借功率器件优异市场表现及产品设计能力，荣获国产功率器件行业卓越奖
2月25日，由世纪电源网与电子研习社主办的“第十三届亚洲电源技术发展论坛”在深圳深铁皇冠假日酒店成功召开。中微半导体（深圳）股份有限公司（股票代码688380，以下简称“中微半导”）受邀出席同期的2022电源行业配套品牌颁奖晚会，并凭借功率器件优异市场表现及产品设计能力荣膺“国产功率器件行业卓越奖”。
世纪电源网是中国专业的电子与电源行业信息化综合服务技术平台，致力于中国电子电源行业信息化建设，以提高中国电子电源行业的效率和国际竞争力为己任。为更好地提高中国电源品牌水平，世纪电源网通过客观、真实、公开的评选方式，选出电源行业中的杰出和优秀企业进行表彰，其上榜企业包括英飞凌、TI、ADI、中微半导等知名企业。
随着全球能源需求的不断增长以及环境保护意识的逐步提升，功率半导体器件在多个领域的需求突飞猛涨。中微半导基于产品设计、结构、特色工艺开发及对客户系统应用需求的充分理解等优势，功率器件产品已成功应用于家电、消费、电机驱动、储能逆变等多个领域，结合中微半导22年MCU芯片开发平台的系统方案服务能力，可为智能风扇、吸尘器、电动工具、储能逆变电源等应用提供可快速量产的整体解决方案，从而缩短产品研发周期，助力客户提升产品竞争力。
中微半导不断优化器件设计和生产工艺，可为客户提供中低压SGT MOSFET、CSP MOSFET及高压IGBT等产品。其中CSP MOSFET产品基于自主研发的独有专利工艺，在电气性能满足使用需求的前提下，优化提升器件的物理结构和机械特性，使产品的机械抗压能力较传统产品提升200%，并降低产品在PCBA制造过程中的不良比例，同时产品在抗雪崩耐量、抗ESD能力等方面有着出色表现，响应速度快，保护功能完善，可大大提升消费电子等设备的小型化、节能化及高可靠性。
在600V以上的高压产品中，中微半导IGBT产品也保持着良好的发展势头。目前，基于国内最新的微沟槽Field-Stop工艺平台，中微半导IGBT芯片的导通与开关功率损耗极低，仅需低驱动功率便可发挥高效率。600V-1350V IGBT产品系列非常适用于白色家电、工业变频、储能逆变等应用。
目前，中微半导的功率器件产业系列日趋完善，基于在MCU领域22年技术储备和平台化的资源优势，从小功率保护到大功率驱动，均能提供一站式产品级解决方案。本次荣膺“国产功率器件行业卓越奖”，是业内对中微半导功率器件产品和技术创新的高度认可。未来，中微半导将在新的起点，不断改进技术，共同提升能量转化效率，推动国产功率器件技术攻关与产业崛起，助力解决工业、汽车、通讯和消费电子等领域客户面临的全新设计挑战。
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