BASiC Semiconductor Launched Pcore™2 - Automotive Half-bridge SiC MOSFET Modules for Large-scale Vehicle Applications

基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

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B2M040120Z碳化硅MOSFET

本资料介绍了B2M040120Z型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、典型性能和应用领域。该器件具有低导通电阻、高阻断电压、低电容等特点，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等领域。

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BMF80R12RA3 SiC MOSFET模块

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B2M065120T SiC MOSFET

本资料详细介绍了B2M065120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高功率密度和低热沉要求。

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B2M040120T SiC MOSFET

本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点，适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。

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B2M600170H碳化硅MOSFET

该资料详细介绍了B2M600170H型号的1700V SiC MOSFET的特性、应用领域和关键参数。资料涵盖了产品的最大额定值、电气特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。

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采用嵌入式SiC SBD的B2M030120N SiC MOSFET

该资料详细介绍了B2M030120N型碳化硅MOSFET的特性，包括其电气特性、热特性、封装参数、开关特性等。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、内置碳化硅二极管等特性，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器、高压DC/DC转换器等领域。

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B2M160120R SiC MOSFET

该资料介绍了B2M160120R型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、规格和应用。它具有低导通电阻和高阻断电压的特点，适用于高频操作，提高功率密度并减少散热器需求。资料涵盖了最大额定值、电气特性、热特性、开关特性和典型性能数据。

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