【应用】SIC驱动芯片SIC1182K可满足SIC MOS管过流或短路检测设计需求,具有支持150KHz运用的开关频率

2020-03-09 世强
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随着SIC MOS管或者SIC模块在不同产品的运用,像车载DC-DC,OBC,电驱,电焊机,光伏等领域的运用,设计者们希望在针对SIC MOS管驱动芯片的功能上能够像驱动IGBT的驱动芯片一样,具有Desat过流或短路检测功能,能够在SIC MOS管或者SIC模块进入过流状态时实现检测并做出保护功能。针对该需求,PI推出的SIC1182K能够满足设计对于SIC MOS管的过流状态检测芯片。


目前针对SIC驱动芯片,具有过流或短路检测的驱动芯片,但是往往开关频率无法满足SIC的需求,能够满足SIC驱动的芯片又不具有过流检测的功能。PI的SIC1182K具有支持150KHz运用的开关频率,8A的峰值驱动电流,可以满足SIC MOS管的运用需求。图1为SIC1182K的引脚示意图:


图1 SIC1182K的示意图


图2 是SIC1182K的典型运用电路图,通过芯片的SNS引脚来检测SIC MOS管的过流或短路情况,通过串联电阻的方式实现SIC1182的检测引脚SNS与SIC MOS管的D极连接,单SNS参考Vee的电压达到0.4V时,会触发内部的通过原边的SO引脚将故障信号传递到MCU,进而关断输出侧,实现SIC MOS管的保护,正常情况SO引脚属于高阻状态。

图2  SIC1182的典型运用图


在设计时SO引脚与VCC引脚之间应接一个1kΩ上拉电阻RSO,在故障情况下,该电阻能为SO引脚提供至少5mA的电流。另外针对SNS引脚的电压Vsns是0.4V,Isns的典型值535uA,针对1200V的SIC MOS管推荐SNS引脚与MOS管D极之间的串联电阻建议在2.43MΩ。所以在用SIC1182K做SIC MOS管驱动,针对SIC MOS管的过流或短路保护设计时需要考虑串联的阻值,检测的电压,从而有效的保护SIC MOS管。

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选型指南  -  PI  - 2020年 PDF 英文 下载

SCALE-iDriver™(Automotive) Gate Driver SID11xxKQ

型号- SID1132KQ,SID1182KQ,SID1181KQ,SIC1182KQ,SIC1181KQ

商品及供应商介绍  -  PI  - 2022/3/31 PDF 英文 下载

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2019年2月26日,Power Integrations推出的SIC1182K是一款可提供高效率的SiC MOSFET门极驱动器,可在125°C结温下提供8A驱动,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。

新产品    发布时间 : 2019-02-28

商品及供应商介绍  -  PI  - 2022/3/30 PDF 英文 下载

【产品】±8A单通道栅极驱动器SIC1182K,适用于600 V/650 V/1200V SiC MOSFET开关

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新产品    发布时间 : 2019-02-15

SCALE-iDriver™ Product Brief

型号- SCALE-IDRIVER™,SID1132KQ,SID1182KQ,SID1181KQ,SIC1182KQ,SIC1181KQ

商品及供应商介绍  -  PI  - 2021 PDF 英文 下载

SIC1182K SCALE-iDriver Family

型号- SIC1182K,SIC1182K-TL

数据手册  -  PI  - Revision B  - January 2019 PDF 英文 下载

SIC1181KQ / SIC1182KQ SCALE-iDriver产品系列 数据手册

型号- SIC118XKQ-TL,SIC118XKQ,SIC1182KQ,SIC1181KQ

数据手册  -  PI  - Rev. A  - 2019年10月 PDF 中文 下载

SCALE-iDriver™ (SIC) Product Brief

型号- SIC1182K,SCALE-IDRIVER™

商品及供应商介绍  -  PI  - 2021 PDF 英文 下载

我选择了科锐C3M0065090D型号的碳化硅MOSFET,开关频率为200kHZ,有没有合适的驱动板可以推荐,最好可以驱动全桥。

全桥驱动暂时没有合适推荐,推荐PI公司推出的针对sic mosfet的驱动产品SIC1182K,满足高开关频率的要求,同时内置多种保护功能,能有效保持sic mosfet的正常运行,资料链接:Power Integrations(PI)SIC1182K 1200V SCALE-iDriver系列栅极驱动器数据手册。

技术问答    发布时间 : 2019-12-31

PCIM Asia最佳报告《全碳化硅模块应用的驱动方案》,基于SIC1182K芯片设计的驱动方案

在SiC应用中,驱动电路设计主要面临三大挑战。其一是更高的开通电流斜率diD/dt带来的VDS尖峰电压;其二是更弱的短路能力;其三是更宽的门极电压应用范围。为帮助客户更好地解决SiC应用中驱动设计存在的上述挑战,PI公司提出了一个基于SIC1182K芯片设计的推荐驱动方案。SIC1182K芯片同时配备高级有源钳位和短路检测功能,并有宽范围的副边电压输入特点。

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测试报告  -  PI  - Version 1.0  - October 25, 2019 PDF 英文 下载

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