森国科碳化硅产品性能对标国际大厂，SiC二极管使用6寸晶圆工艺

ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）肖特基二极管选型指南（中文）

SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。

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WM2A030065L N沟道SiC功率MOSFET

本资料介绍了第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换和快速内建二极管等特点。该器件适用于电动汽车充电、服务器电源供应、不间断电源（UPS）、太阳能光伏逆变器等领域。

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成都芯进电子BLDC驱动IC产品

芯进电子，成立于2013年，是一家专注于高性能模拟和混合信号芯片设计的高新技术企业。公司主营产品包括磁传感器、隔离IC、电机驱动IC、电源管理IC和总线接口等，广泛应用于汽车、光伏新能源、工业自动化、电脑、家电和消费类电子等领域。芯进电子拥有强大的技术团队和丰富的知识产权，在国内多个城市设有分支机构，并与众多知名企业建立了合作关系。公司产品线涵盖单相BLDC驱动IC、单线圈风扇驱动IC、双线圈风扇驱动IC和正弦波风扇驱动IC等，满足不同应用场景的需求。

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【视频】虹美车规SiC二极管/GaN FET/IGBT，提供DC-DC/光伏逆变/快充等新能源、工业解决方案

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B4D60120H2 SiC肖特基二极管

本资料介绍了B4D60120H2型碳化硅肖特基二极管的产品特性、最大额定值、电气特性、典型性能和应用领域。该器件采用TO-247-2封装，具有低漏电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为等特点，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。

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