【应用】零反向恢复电流的碳化硅肖特基二极管G3S06510A助力3kW水泵变频器PFC设计
3kW的水泵变频器框图如下，220VAC经过整流桥、PFC升压，然后逆变带动水泵电机。
由于在硬开关连续导电模式BOOST变换中，升压二极管的反向恢复会引起较大的反向损耗并产生严重的电磁干扰，从而影响水泵变频器的功率因数，因此选择一款合适的升压二极管至关重要。本文介绍一款泰科天润公司推出的650V/10A 碳化硅肖特基二极管G3S06510A，Qc为36nC，采用TO-220AC封装，可以满足3kW水泵变频器的PFC需求。
G3S06510A由于其零反向恢复电流，因此实现较短的反向关断时间，从而可有效避免系统的损耗，并提高PFC的功率因素。
G3S06510A优势如下：
1）超快的开关速度并且开关特性不受结温的影响
2）超低的开关损耗，反响恢复时间为零
3）正向压降（Vf）的典型值为1.48V（IF = 10 A TJ =25°C），其随温度变化小，易于并联
4）温度特性良好，工作温度高达175℃。
同时同样的开关频率Si Boost PFC 和 SiC Boost PFC 体积基本相同，但是采用SiC Boost PFC可以提高开关频率，更高的开关频率就可以选用更小体积的电感和电容，可带来水泵变频器成本的降低。
除去上面介绍的技术优势外，泰科天润公司推出的碳化硅肖特基二极管G3S06510A，还有以下竞争优势：
1、更好的供货周期，世强大量备货，可快速支持样品和后续量产品服务；
2、提供技术支持，产品稳定可靠。
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目录- SiC碳化硅肖特基二极管
型号- G4S06520BT,G5S6506Z,G5S12016B,G4S06508HT,G3S06510C,G3S06510D,G3S06510A,G4S12020D,G3S06510B,G5S12015P,G3S17050PM,G3S12003R,G4S06506CT,G5S06508AT,G5S12015A,G5S12015D,G4S6508Z,G3S12003A,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S12003H,G5S12020PM,G3S06520L,G5S06510PT,G3S06520H,G5S12002R,G3S06550PM,G3S12002R,G3S06520P,G5S12015PM,G4S06508JT,G5S6504Z,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06520B,G3S12002D,G5S06508PT,G3S06520A,G5S12030PP,G3S12002H,G5S12016BM,G3S06540PP,G3S12010BM,G4S06516BT,G5S12005A,G4S06530BT,G5S12005C,G4S06503AT,G5S12005D,G5S06508QT,G5S12005H,G4S06510HT,G3S06530L,G6S12040BT,G4S06515AT,G5S12020BM,G3S06530P,G3S06502A,G1S33005P,G4S06510AT,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,G3S06502D,G3S06502C,G5S12010PM,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S06502CT,GAS06520A,G4S06515LT,G3S12010H,GAS06520H,G4H06510HT,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G5S12010M,G3S17020B,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,GAS06520L,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S12002C,G5S12002A,G4S06506RT,G3S12010A,G5S12002D,G3S12010B,G3S12010C,G4S12010LM,G3S12010D,G5S12002H,G3S06512B,G5S12010BM,G4S06510DT,G5S06502AT,G3S06510M,G3S06510K,G3S06510L,G3S06510J,G3S12020L,G4S12040BM,G3S06510H,G5S12030PPM,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06510R,G3S06510P,G3S12020U,G3S06506D,G53YT,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G5S12050PM,G3S06506J,G3S12020A,G5S12020A,G3S06506H,G3S12020B,G1S33001P,G5S12020D,G3S06505R,G3S06520PM,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G3S06505A,G5S06504CT,G1S3300.6P,G5S06510HT,G4S06508QT,G3S06505H,G3S06504R,G3S06560B,GAS06540B,G5S12040BM,G52YT,G4S12010PM,G3S06504C,G3S06504A,G3S06516B,G5S06508HT,G1S33003P,G5S06520BT,G3S06504J,G5S12010C,G5S12010D,G3S06504H,G5S12010A,G4S06508RT,G3S06504D,G3S06503R,G3S065100P,G4S06508AT,G5S06506CT,G51XT,G5S06505AT,G3S06503A,G1S33002P,G6S12020PT,G3S12040PP,G5S12008PM,G4H06510AT,G3S06503H,G5S06504QT,G3S06503C,G3S06503D,G5S12020H,G4S06510PT,G5S12040PPM,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06502R,G5S12008D,G4S06506HT,G5S12008C,G5S12008H,G4S06515CT,G5S06510CT,G5S12008M,G3S06530A,G5S12008P,G3S12040B,G5S12040B,G4S06540PT,G5S12030BM,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,G4S06515DT,G5S06510DT,G4S06503CT,G5S06520AT,G4S06510JT,G3S17005C,G3S17005A,G3S06508R,G4S12020BM,G5S12050P,G3S12050P,G5S06510AT,G3S06508D,G3S06508C,G3S06508A,G3S06540B,G5S12030B,G3S06508J,G3S06508H,G5S06510QT,G3S12005P,G3S12005R,G5S06508CT,G4S12020PM,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G5S12040PP,G5S06506QT,G3S06506U,G3S06506R,G3S06530PM,G3S06550P,G5S06508DT
泰科天润碳化硅二极管选型表
提供泰科天润碳化硅二极管选型，覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等，覆盖常规功率段，晶圆尺寸：4寸/6寸，VRRM(V)：650V-3300V。
|
产品型号
|
品类
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晶圆尺寸
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Package
|
Config.
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VRRM(V)
|
IF(A)(Tc=160℃)
|
IF(A)(Tc=125℃)
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IF(A)(Tc=25℃)
|
IFSM(A)(Tc=25℃)
|
RTH-JC(Typ.)(℃/W)
|
Qc(nc)(Tj=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
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G51XT
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碳化硅肖特基功率二极管
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4寸
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SOD123
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单芯
|
650
|
0.65
|
1
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1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
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3.8
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1.2
|
1.38
|
1.6
|
1.57
|
2
|
0.07
|
50
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0.2
|
100
|
选型表 - 泰科天润 立即选型
G5S06520DT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了泰科天润半导体科技（北京）有限公司生产的G5S06520DT碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、电特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。
型号- G5S06520DT
泰科天润即将亮相23慕尼黑华南电子展，展示SiC MOSFET、混合单管、碳化硅二极管等系列产品
慕尼黑华南电子展将于2023年10月30-11月1日在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大举行。作为国内知名的碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，泰科天润（展位号：1号馆·1F33）即将亮相慕尼黑华南电子展。
G3S06004J 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了型号为G3S06004J的碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数和应用领域。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特点，适用于高温和高频工作环境。其产品优点包括单极性器件、极大降低开关损耗、并联使用无热崩溃以及降低散热片的要求。
型号- G3S06004J,G3S06004JDDDDD
G4S06506RT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了G4S06506RT型号的碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、电特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性，适用于高温和高频工作环境，主要应用于开关电源、电动汽车、电机驱动器、光伏和风力发电等领域。
型号- G4S06506RT
G3S06510A 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了G3S06510A碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数和应用领域。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性，适用于高温和高频工作环境。其主要优点包括单极性设计，极大降低开关损耗，并支持并联使用而不会发生热崩溃。
型号- G3S06510A
G51XT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了G51XT型号碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数和应用领域。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性，适用于高温和高频工作环境。其主要优点包括单极性设计，极大降低开关损耗，并支持并联使用而不会发生热崩溃。
型号- G51XT
G3S06506R 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了泰科天润半导体科技（北京）有限公司生产的G3S06506R碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、应用领域等。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点，适用于开关电源、电动汽车、电机驱动器等领域。
型号- G3S06506R
碳化硅二极管成为大功率电源产品核心竞争力，致力提高电动汽车、逆变器等效率和可靠性
碳化硅材料作为第三代半导体，目前已有多家厂商投产，在诸多场合取代传统快恢复二极管，提高了电动汽车、逆变器、轨道交通、太阳能和风力发电上的效率和可靠性。如今引入大功率氮化镓适配器中，为大功率、高密度PD快充的普及更增添一份力量。
G51XT 650V/1A碳化硅肖特基功率二极管
描述- 本资料介绍了泰科天润半导体科技（北京）有限公司生产的G51XT型号碳化硅肖特基功率二极管的产品特性、技术参数和应用领域。该产品具有正温度系数、零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点，适用于开关模式电源、高电压传感、太阳能逆变器等领域。
型号- G51XT
G21YT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了G21YT碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、电特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点，适用于开关电源、电动汽车、电机驱动器等领域。
型号- G21YT
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
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