【产品】应能微推出的双向TVS二极管AR3321P1，电容典型值为0.3pF，采用DFN1006-2无铅封装
AR3321P1是应能微推出的一款双向TVS二极管，运用领先的单片硅技术提供快速响应时间和低ESD钳位电压，使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。AR3321P1具有超低电容，典型值为0.3pF，符合IEC61000-4-2（ESD）标准（空气放电±25kV，接触放电±20kV），采用DFN1006-2无铅封装。小尺寸、超低电容和高ESD浪涌保护能力等特性使其成为保护手机、数字视频接口（DVI）及其他高速端口的理想选择。
特点
超低电容：典型值为0.3pF
超低漏电流：nA量级
工作电压：3.3V
低钳位电压
符合以下标准：
-IEC61000-4-2（ESD）抗扰度试验
空气放电：±25kV
接触放电：±20kV
-IEC61000-4-5（雷击）5A（8/20μs）
符合RoHS标准
尺寸及引脚配置
机械特性
封装：DFN1006-2
外壳材料：绿色环保模塑料
湿敏等级：3级（J-STD-020标准）
应用
手机及相关配件
显示端口
MDDI端口
USB接口
数字视频接口（DVI）
PCI-E接口、SATA串行接口
标记信息
订购信息
极限参数（环境温度为25℃，除非特殊注明）
电气特性（环境温度为25℃，除非特殊注明）
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应能微TVS&二极管选型表
应能微提供以下技术参数的TVS选型，VRWM：1V~80V，Cj Typ：0.15pF~3700pF，IR Max：0.02μA-600μA，PPP：10W-8000W；二极管选型，VRWM(V)：45V，Cj Typ(pF)：90pF、25pF。
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产品型号
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品类
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UNI/BI
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Line Config
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VRWM(V)
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VBR Min(V)
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Cj Typ(pF)
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IR Max(μA)
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PPP(W)
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Package
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ASK45V1RD3
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Schottky Barrier Diode
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Bi
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1-Line
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45
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40
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90
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100
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0.32
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SOD-323
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选型表 - 应能微 立即选型
AU0511P1单线双向TVS二极管
描述- 该资料介绍了AU0511P1双向TVS二极管，这是一种利用先进单晶硅技术提供快速响应时间和低ESD钳位电压的二极管。它适用于保护敏感数据和电源线，符合IEC 61000-4-2（ESD）标准。
型号- AU0511P1
AR3341P0S低电容双向TVS二极管
描述- AR3341P0S是一款双向TVS二极管，采用先进的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件具有低电容（典型值为0.6pF）并符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准，适用于保护高速数据线。
型号- AR3341P0S
AU0541D5单线双向TVS二极管
描述- 该资料介绍了AU0541D5双向TVS二极管，这是一种利用先进单晶硅技术提供快速响应时间和低ESD钳位电压的二极管。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，具有±30 kV空气和±30 kV接触放电能力。采用超小SOD-523无铅封装，适用于保护手机、数码相机、音频播放器等多种便携式设备。
型号- AU0541D5
AU0921P1单线双向TVS二极管
描述- 该资料介绍了AU0921P1双向TVS二极管，这是一种利用先进单晶硅技术制造的器件，具有快速响应时间和低ESD钳位电压。它适用于保护敏感数据和电源线路，符合IEC 61000-4-2（ESD）标准。
型号- AU0921P1
AR3341P1S单线低电容双向TVS二极管
描述- AR3341P1S是一款双向TVS二极管，采用先进的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件具有低电容（典型值1.5pF）和符合IEC 61000-4-2标准（±30kV空气放电和接触放电），适用于保护高速数据线。
型号- AR3341P1S
AU1211P1单线双向TVS二极管
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型号- AU1211P1
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型号- AR0811P6
AU0541D3单线双向TVS二极管
描述- 该资料介绍了AU0541D3双向TVS二极管，这是一种利用先进单晶硅技术提供快速响应时间和低ESD钳位电压的二极管。它符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，具有±30 kV空气和±30 kV接触放电能力。采用超小型SOD-323无铅封装，适用于保护手机、数码相机、音频播放器等多种便携式设备的数据和电源线。
型号- AU0541D3
AR3341P0SC低电容双向TVS二极管
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型号- AR3341P0SC
AR3321P1单线超低电容双向TVS二极管
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型号- AR3321P1
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型号- AU2421P1LQ
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