【产品】集电极功耗为625mW的硅晶体管SBC558,SBC548,彼此互补配对,非常适用于开关应用
AUK作为KODENSHI(可天士)集团旗下品牌,专注于半导体元器件、电子元器件、集成电路、塑料制品、自动化设备及其零配件、模具及其配件的开发、设计、制造;电子产品材料、包装物、消耗品的销售;佣金代理;货物进出口、技术进出口等广泛领域。硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多重功能,常用作放大器或电控开关。晶体管开关频率高,响应速度快,准确性高;耐压范围大,结实可靠。
AUK(KODENSHI收购)推出的NPN硅晶体管SBC548和PNP硅晶体管SBC558适用于通用应用,开关应用等应用场景。
SBC548硅晶体管当工作温度为25℃时,集电极-基极电压VCBO为30V,集电极-发射极电压VCEO为30V,发射极-基极电压VEBO为5V,集电极电流IC为100mA,集电极功耗PC为625mW,结温TJ为150℃,存储温度Tstg为-55~150℃,可以满足工业级温度要求,适用于高低温工作环境中。
SBC558硅晶体管当工作温度为25℃时,集电极-基极电压VCBO为-30V,集电极-发射极电压VCEO为-30V,发射极-基极电压VEBO为-5V,集电极电流IC为-100mA,集电极功耗PC为625mW,结温TJ为150℃,存储温度Tstg为-55~150℃,可以满足工业级温度要求,适用于高低温工作环境中。
SBC548硅晶体管工作温度为25℃时的电气参数如下所示:
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | IC=1mA, IB=0 | 30 | - | - | V |
基极-发射极启始电压 | VBE(ON) | VCE=5V, IC=2mA | 550 | - | 700 | mV |
基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | IC=100mA, IB=5mA | - | 900 | - | mV |
集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | IC=100mA, IB=5mA | - | - | 600 | mV |
集电极截止电流 | ICBO | VCB=35V, IE=0 | - | - | 15 | nA |
特征频率 | fT | VCE=5V, IC=10mA | - | 150 | - | MHz |
SBC558硅晶体管工作温度为25℃时的电气参数如下所示:
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
集电极-发射极击穿电压 | BVCEO | IC=-1mA, IB=0 | -30 | - | - | V |
基极-发射极启始电压 | VBE(ON) | VCE=-5V, IC=-2mA | - | - | -700 | mV |
基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | IC=-100mA, IB=-5mA | - | -900 | - | mV |
集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | IC=-100mA, IB=-5mA | - | - | -650 | mV |
集电极截止电流 | ICBO | VCB=-35V, IE=0 | - | - | -15 | nA |
特征频率 | fT | VCE=-5V, IC=-10mA | - | 150 | - | MHz |
SBC558、SBC548硅晶体管的产品特性:
• SBC548电压高达VCEO=30V
• SBC558电压高达VCEO=-30V
• SBC558,SBC548彼此互补配对
SBC558、SBC548硅晶体管的市场应用:
• 通用应用
• 开关
SBC558、SBC548硅晶体管封装尺寸示意图:
引脚连接:1. 集电极;2. 基极;3. 发射极 (单位:毫米)
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guojun Lv9. 科学家 2019-01-25收藏分享学习学习
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现货: 262
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实验室地址: 深圳 提交需求>
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