【产品】-30V/-15A双P沟道功率MOSFET RU30S15H,适用于电源管理、负载开关等应用
![双P沟道功率MOSFET,RU30S15H,锐骏半导体](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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锐骏半导体推出一款SOP-8封装的双P沟道功率MOSFET RU30S15H,采用超高密度单元设计,漏源电压最大额定值为-30V,连续漏极电流最大额定值为-15A(TA=25℃),具有低导通电阻,适用于电源管理、负载开关和电池保护等应用。
产品封装及内部电路图
产品特点
-30V/-15A
RDS(ON)=15mΩ(典型值)@VGS=-10V
RDS(ON)=22mΩ(典型值)@VGS=-4.5V
低导通电阻
超高密度单元设计
可靠、结实
无铅、绿色环保器件,满足RoHS标准
应用
电源管理
负载开关
电池保护
最大额定参数(TA=25℃,除非特别说明)
订购信息
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锐骏半导体 - P-CHANNEL ADVANCED POWER MOSFET,P沟道先进功率MOSFET,RU30S15H,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关
锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET:Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
选型表 - 锐骏半导体 立即选型
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某智能灯控产品须推荐一双通道MOS,要求:双通道PMOS,栅极电压为3.3V,漏源极电压为10V,国产厂牌优先。
推荐锐骏RU30S15H,手册参考链接:https://www.sekorm.com/doc/1468200.html。
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UTC - 双功率场效应晶体管,DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,UD4P20,UD4P20G-S08-R,BATTERY MANAGEMENT,NOMADIC EQUIPMENT,电源管理,POWER MANAGEMENT,CELLULAR PHONE,游牧装备,移动电话,电池管理
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