【产品】-30V/-15A双P沟道功率MOSFET RU30S15H,适用于电源管理、负载开关等应用

2022-04-16 锐骏半导体
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锐骏半导体推出一款SOP-8封装的双P沟道功率MOSFET RU30S15H,采用超高密度单元设计,漏源电压最大额定值为-30V,连续漏极电流最大额定值为-15A(TA=25℃),具有低导通电阻,适用于电源管理、负载开关和电池保护等应用。


产品封装及内部电路图 


产品特点

-30V/-15A

RDS(ON)=15mΩ(典型值)@VGS=-10V

RDS(ON)=22mΩ(典型值)@VGS=-4.5V

低导通电阻

超高密度单元设计

可靠、结实

无铅、绿色环保器件,满足RoHS标准

 

应用

电源管理

负载开关

电池保护



最大额定参数(TA=25℃,除非特别说明)


订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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