【产品】高dv/dt承受力的IGBT吸收电容器,容量范围0.01~5.6 μF,额定电压630V-2000V DC

2021-08-12 创容新能源
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MKP-HS系列是深圳市创容新能源推出的IGBT吸收电容器,安装简单快捷,具有耐压高,损耗小,温升低,高dv/dt承受力等特性。其工作温度范围-40~105℃,容量范围0.01~5.6 μF,额定电压630V-2000V DC。


应用

• IGBT缓冲吸收

• 电力电子设备中尖峰电压、尖峰电流吸收保护


性能参数

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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全部评论(2

  • 用户18396822 Lv8 2022-12-06
    学习了
  • Jerrfy Lv9. 科学家 2021-12-30
    尖峰吸收
没有更多评论了

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公司动态    发布时间 : 2021-08-17

MKPH-SB 系列轴向吸收电容器(扁形)(MKPH-SB 系列 Axial snubber capacitor(ellipse))

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