【经验】基于收发器ISL3152EIBZ的RS485浪涌保护措施

2019-08-16 Renesas
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RS485总线在较为恶劣的电磁环境下工作,为确保设备的正常工作,产品设计必须符合相关要求的电磁兼容性规则,根据实际要求部署相应的RS485端口防护措施。通常比较常见的防护对象为静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)与浪涌(Surge)等。浪涌一般来源于开关瞬变或雷击现象,国际标准 IEC 61000-4-5浪涌抗扰度试验详细规定了受试电子电气设备抗扰度的测试波形、方法和级别等。国标方面对齐GB/T 17626.5浪涌(冲击)抗扰度试验标准。本文主要针对RS485的浪涌保护措施展开描述,典型电路应用基于RENESAS收发器ISL3152EIBZ


基于ISL3152EIBZ的防护等级设计主要分三种,分别为LEVEL 2 (1kV),LEVEL 3 (2kV)与LEVEL 4(4kV),其他级别的要求可参考标准条文的具体描述。下图1为LEVEL 2 (1kV)的典型应用与BOM。

图1 LEVEL 2 (1kV)典型应用原理图 BOM


LEVEL 2级别要求,收发器外围保护器件主要为TVS与限流电阻。其中TVS选择了双向SM712(7V、12V),限流电阻Rs选取了低阻值的耐冲击厚膜电阻。图1中的第二部分为具体BOM清单,设计者可根据参数灵活调整器件选型。

LEVEL 3级别要求,收发器外围保护器件主要包含TVS,过流保护器(OCP)与过压保护器(OVP)。图2为LEVEL 3 (2kV)的典型应用与BOM。要实现较高的浪涌保护水平,除了具备TVS之外,电路设计还需增加过流和过压保护器件(TSPD)。过流保护可保护接口部分的TVS免受超额定值的高电流冲击,而过压保护则可保护OCP部分免受高瞬态电压的影响。

图2 LEVEL 3 (2kV)典型应用原理图 BOM表


LEVEL 4级别要求,该级别属于比较高的要求,同样收发器外围保护器件主要包含TVS,过流保护器与过压保护器。与LEVEL 3不同的是,LEVEL 4过压保护使用了GDT,其通过电离不导电的气体来实现,可以承受较高能量的冲击,与TSPD相比,其触发时间可能较长。图3为LEVEL 4 (4kV)的典型应用与BOM。

图3 LEVEL 4 (4kV)典型应用原理图 BOM表


通常接口电路使用分立TVS器件,需要考虑TVS器件在PCB上的摆放位置和走线,PCB布局中可将TVS与接口芯片与地尽量靠近,这样在一定程度上可以避免影响能量泄放速度。目前市场上也出现了部分集成片上TVS的接口芯片或保护器产品,设计者可根据性能与成本要求合理选型。



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