【产品】采用高密度单元设计的N沟道功率MOSFET CMN10012GS8,漏源电压最大值为100V

2023-05-16 应能微
N沟道功率MOSFET,N沟道增强型功率场效应晶体管,CMN10012GS8,应能微 N沟道功率MOSFET,N沟道增强型功率场效应晶体管,CMN10012GS8,应能微 N沟道功率MOSFET,N沟道增强型功率场效应晶体管,CMN10012GS8,应能微 N沟道功率MOSFET,N沟道增强型功率场效应晶体管,CMN10012GS8,应能微

应能微推出一款采用SO-8封装的N沟道功率MOSFET CMN10012GS8,其采用了高单元密度、沟槽技术。该器件为N沟道增强型功率场效应晶体管,因高密度工艺和设计,优化了器件的开关性能,尤其是最大限度地降低导通电阻。

等效电路和引脚配置图

特点:

●漏源电压VDS=100V

●连续漏极电流ID=12.3A

●漏源导通电阻RDSON<13mΩ(VGS=10V)

●漏源导通电阻RDSON<15.6mΩ(VGS=4.5V)

●采用高密度单元设计,可实现极低RDSON

●极小的导通电阻和出色的直流电流能力


应用:

●手机和配件

●个人数字助理

●便携式仪器

●负载开关


标记信息:

 


绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明):


电气特性(TJ=25℃,除非另有说明):


订购信息:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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