【产品】采用高密度单元设计的N沟道功率MOSFET CMN10012GS8，漏源电压最大值为100V

时间： 2023-05-16 来源：应能微

技术问答

应能微推出一款采用SO-8封装的N沟道功率MOSFET CMN10012GS8，其采用了高单元密度、沟槽技术。该器件为N沟道增强型功率场效应晶体管，因高密度工艺和设计，优化了器件的开关性能，尤其是最大限度地降低导通电阻。

等效电路和引脚配置图

特点：

●漏源电压V_DS=100V

●连续漏极电流I_D=12.3A

●漏源导通电阻R_DSON<13mΩ（V_GS=10V）

●漏源导通电阻R_DSON<15.6mΩ（V_GS=4.5V）

●采用高密度单元设计，可实现极低R_DSON

●极小的导通电阻和出色的直流电流能力

应用：

●手机和配件

●个人数字助理

●便携式仪器

●负载开关

标记信息：

绝对最大额定值（T_A=25℃，除非另有说明）：

电气特性（T_J=25℃，除非另有说明）：

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