【产品】采用高密度单元设计的N沟道功率MOSFET CMN10012GS8，漏源电压最大值为100V
应能微推出一款采用SO-8封装的N沟道功率MOSFET CMN10012GS8，其采用了高单元密度、沟槽技术。该器件为N沟道增强型功率场效应晶体管，因高密度工艺和设计，优化了器件的开关性能，尤其是最大限度地降低导通电阻。
等效电路和引脚配置图
特点：
●漏源电压VDS=100V
●连续漏极电流ID=12.3A
●漏源导通电阻RDSON<13mΩ（VGS=10V）
●漏源导通电阻RDSON<15.6mΩ（VGS=4.5V）
●采用高密度单元设计，可实现极低RDSON
●极小的导通电阻和出色的直流电流能力
应用：
●手机和配件
●个人数字助理
●便携式仪器
●负载开关
标记信息：
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）：
电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）：
订购信息：
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