【产品】功耗100mW表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET CEDM8001，导通阻抗RDS（on）1.9Ω

时间： 2018-10-04 来源：Central

技术问答

Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。

Central Semiconductor公司推出了CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET，其漏源电压为20V，门源电压为10V，额定漏极电流为100mA。CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET具有低阻抗、低功耗和低保持电压的优点，其功耗只有100mW，导通阻抗RDS（on）1.9Ω，低的功耗可减少发热量，降低热故障率；可用于高速脉冲放大器、驱动器、负载/电源开关、DC-DC变换器和电池供电等便携式设备场合。

图1： CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET实物图

CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET是P沟道增强型MOSFET，由P沟道DMOS工艺制造。其封装形式为小型无引线表面贴装封装SOT-883L，封装尺寸只有0.4mm，尺寸小适合PCB焊接使用，易于设计；其存储和工作温度范围为：-65~150℃，可见其工作温度范围很广，能够满足恶劣环境工作要求，降低热故障。

图2：CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET封装尺寸图

CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET的产品特性及优势：

•100MW的功耗

•0.4mm低封装外形

•低RDS（on）

•低阈值电压

•逻辑电平兼容

•小型无引线表面贴装封装

CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET的主要应用：

•高速脉冲放大器

•驱动器

•负载/电源开关

•DC-DC变换器

•电池供电

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全部评论（4）

丝雨 Lv8. 研究员 2018-11-12

学习了
虎虎 Lv4. 资深工程师 2018-11-07

学习了
MangoHoHo Lv7. 资深专家 2018-11-06

学习了
luose Lv8. 研究员 2018-10-04

学习了！

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