【产品】功耗100mW表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET CEDM8001，导通阻抗RDS（on）1.9Ω
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
Central Semiconductor公司推出了CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET，其漏源电压为20V，门源电压为10V，额定漏极电流为100mA。CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET具有低阻抗、低功耗和低保持电压的优点，其功耗只有100mW，导通阻抗RDS（on）1.9Ω，低的功耗可减少发热量，降低热故障率；可用于高速脉冲放大器、驱动器、负载/电源开关、DC-DC变换器和电池供电等便携式设备场合。
图1： CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET实物图
CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET是P沟道增强型MOSFET，由P沟道DMOS工艺制造。其封装形式为小型无引线表面贴装封装SOT-883L，封装尺寸只有0.4mm，尺寸小适合PCB焊接使用，易于设计；其存储和工作温度范围为：-65~150℃，可见其工作温度范围很广，能够满足恶劣环境工作要求，降低热故障。
图2：CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET封装尺寸图
CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET的产品特性及优势：
•100MW的功耗
•0.4mm低封装外形
•低RDS（on）
•低阈值电压
•逻辑电平兼容
•小型无引线表面贴装封装
CEDM8001系列表面贴装硅P沟道增强模式MOSFET的主要应用：
•高速脉冲放大器
•驱动器
•负载/电源开关
•DC-DC变换器
•电池供电
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 4
本文由TKLL翻译自Central，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（4）
-
![]()
![]()
丝雨 Lv8. 研究员 2018-11-12学习了 -
![]()
![]()
虎虎 Lv4. 资深工程师 2018-11-07学习了 -
![]()
![]()
MangoHoHo Lv7. 资深专家 2018-11-06学习了 -
![]()
![]()
luose Lv8. 研究员 2018-10-04学习了！
相关推荐
【元件】长晶科技新推P沟道MOSFET CJ4459A，采用SOT-23封装，漏源电压为-30V
长晶科技推出的P沟道MOSFET CJ4459A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择，该器件采用SOT-23封装。
【产品】输入电压2.5V至5.5V的单P沟道MOSFET负载开关TMI6263系列，非常适合3V和5V供电系统
西安拓尔生产的TMI6263系列是高性价比，单P沟道MOSFET负载开关，具有超低漏源导通电阻RDS（ON）。针对自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化。输入电压范围2.5V至5.5V，非常适合3V和5V供电系统。
【产品】硅N/P沟道互补的CMLDM3757增强型MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计
Central Semiconductor公司推出了CMLDM3757表面安装型硅N沟道和P沟道互补增强型MOSFET。其漏源电压为20V，门极-源级电压为8V，漏极电流为540mA（N沟道类型）和430mA（P沟道类型），峰值漏极电流为1500mA（N沟道类型）和750mA（P沟道类型），额定功率损耗最低为150mW。专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
【选型】P沟道MOSFET CJAC70P06导通电阻低至7.6mΩ，可兼容PDC6901X用于水泵控制器中
在客户的水泵控制器项目上，需要一颗MOS来驱动控制电路，原来使用博盛的PDC6901X，现需要找寻另一款合适的型号作为备选方案。给客户推荐了长晶科技的P沟道MOSFET CJAC70P06，参数和性能都与博盛的PDC6901X差不多，可以满足替换的基本需求。
德欧泰克P沟道MOSFET DI077P06D1驱动自动物流机器人，典型导通电阻11.5 mΩ
H桥电机控制器允许机器人的直流电机向前或向后运行，配备了N沟道和P沟道MOSFET的组合。DIOTEC的P沟道MOSFET DI077P06D1采用TO-252AA（D-PAK）封装，在100℃时提供了45A的连续漏极电流和328A的峰值电流。典型的导通状态电阻为11.5mΩ，有助于节省能源，从而延长电池使用时间。
【选型】国产单P沟道MOSFET负载开关用于烟感控制器，可兼容替换WS4603E-5/TR
在烟感控制器供电端一般需要颗负载开关提供过流和缓启动功能，之前不少厂商选择WILLSEMI的WS4603E-5/TR，急需找兼容物料替换。故本文推荐拓尔微电子的单P沟道MOSFET负载开关TMI6263BH，可完美兼容替换WS4603E-5/TR。
【经验】 P沟道增强型MOSFET PJD16P06A-AU在电源开关中的设计使用
电源开关一般可分为机械式和电子，由于MOS FET可允许通过大电流，而且控制简单成本较低广泛应用于电子开关中。笔者公司开发的一款产品A在电源输入端的控制就选用了强茂PANJIT的P沟道增强型MOSFET PJD16P06A-AU。本文主要介绍一些在使用的过程中的设计使用经验。
-60V/-8.5A的P沟道MOSFET SL4421，支持电池进行充放电控制、保护和管理
SL4421是一款具有-60V漏源电压和-8.5A连续漏极电流的P沟道MOSFET，以其低导通电阻（23mΩ@-10V，-8A）和较低的阈值电压（-1.6V@250μA）而著称。这些特性使得SL4421能够对电池进行充放电控制、保护和管理，并成为新电池技术应用中理想的电子元件，尤其是在需要高效能和强控制的场合，在电源管理、电动车和储能系统等领域都具有重要意义。
电子商城
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount-MOSFET
价格：￥0.7919
现货： 16,000
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount MOSFET
价格：￥2.0787
现货： 283
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount MOSFET
价格：￥1.7323
现货： 200
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount-MOSFET
价格：￥1.9798
现货： 200
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount MOSFET
价格：￥2.6727
现货： 200
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可加工PCB的尺寸范围：50*50mm~610*508mm，板厚：0.3mm~4.5mm，元件尺寸：最大200*125mm，最小引脚零件间距：0.3mm，最小BGA间距：0.3mm，支持01005 chip件贴装。
最小起订量： 3 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论