【产品】SOT-23小封装肖特基二极管CMPSH05-4,专为小尺寸、高效率的小信号应用
CMPSH05-4是Central半导体公司推出的一款高电流、低VF 40V肖特基二极管,采用节省空间的SOT-23封装形式,占用电路板空间小。该器件具有低正向压降、低反向电流等特点,是专为小尺寸和高效率的小信号通用应用而设计的。
图1. CMPSH05-4肖特基二极管示意图
CMPSH05-4肖特基二极管最大额定参数:反向重复峰值电压VRRM为40V,正向电流IF为500mA。在8.0ms的持续时间内,其正向浪涌峰值电流IFSM为10A,说明该器件抗电流冲击能力较强。该器件的功耗PD仅350mW,符合低功耗产品的设计要求。其操作和存储结温范围均为-65℃~+150℃,这个温度范围说明该器件在恶劣的环境下也可正常工作,可靠性高。其热阻值为357℃/W。
CMPSH05-4肖特基二极管电气特性参数:该器件具有低反向电流,其最大值IR=100μA@VR=30V,反向泄露电流所产生的危害较小,也提高了能源的利用效率。CMPSH05-4肖特基二极管的正向压降很低,当正向电流IF=500mA时,正向压降VF的最大值为0.47V,拥有较低的导通损耗。此外,当VR=1.0V,f=1.0MHz时,其结电容CJ的典型值为50pF,超低结电容可使充放电过程更加迅速,使器件响应速度更快。
图2. CMPSH05-4肖特基二极管输出特性曲线
CMPSH05-4肖特基二极管的特性(TA=25°C):
•低正向压降,VF=0.35V(max @ 100mA)
•反向重复峰值电压,VRRM=40V
•正向电流,IF=500mA
正向浪涌峰值电流,tp=8.0ms IFSM=10A
正向重复峰值电流,tp<1.0ms IFRM=3.5A
功耗,PD=350mW
操作和存储结温范围,-65°C~+150°C
热阻,357°C/W
CMPSH05-4肖特基二极管的应用领域:
• 小信号通用型应用
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