【产品】武汉芯源推出的N沟道超结功率MOSFET管CWS5N70A，漏源电压700V，具有快速开关和低导通电阻优点

时间： 2022-09-20 来源：武汉芯源

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武汉芯源推出的N沟道超结功率MOSFET管 CWS5N70A，采用高压功率MOSFET技术，由P&S根据超级结原理设计，所提供的设备具有快速开关和低导通电阻优点，适用于以下应用：LED照明，高性能适配器等。

特征

R_dson*Qg低，损耗低

卓越的雪崩加固技术

快速切换能力

100%雪崩测试

无铅电镀

符合ROHS标准

应用

功率因数校正（PFC）

开关电源（SMPS）

不间断电源（UPS）

高性能适配器

LED照明电源

订购信息

绝对最大额定值

（Tj=25℃，除非另有说明）

热特性

电气特性

（Tj=25℃，除非另有说明）

(漏极开路）

动态特性

（Tj=25℃，除非另有说明

栅极电荷特性

（Tj=25℃，除非另有说明）

反向二极管特性

（Tj=25℃，除非另有说明）

Note

1.受最大结温限制；

2.受最大结温限制的脉冲宽度；

3.I_AS=2.0 A，V_DD=50 V，R_G=25Ω，启动温度T_J=25℃。

电气特性图

图1.安全操作区图2.瞬态热阻抗

I_D=f(V_DS); Tc=25℃;参数 tp Z(_thJC)=f(t_p); 参数: D=t_p/T

图3.典型输出特性图4.典型传输特性

I_D=f(V_DS); T_j=25°C; 参数: V_GS I_D=f(V_GS); V_DS=20V

图5漏极-源极导通电阻图6.漏极-源极击穿电压

R_DS(ON)=f(T_j); I_D=2.5A; V_GS=10V V_BR(DSS)=f(T_j); I_D=10mA

图7.反向二极管的正向特性图8.典型栅极电荷

I_F=f(V_SD); 参数: T_j V_GS=f(Q_gate), I_D=5A 脉冲

图9：典型电容图10：雪崩能量

C=f(V_DS); V_GS=0; f=1MHz E_AS=f(T_j); I_D=2A; V_DD=50V

测试电路

开关时间测试电路

反向二极管特性测试电路及波形

无箝位感应开关测试电路和波形

物理尺寸

TO-251

TO-252

TO-220F

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CWS50R580AF	MOSFET	8	550	0.53	0.58	11.7	8.9	215	TO-220F-3L

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