【选型】长晶科技PMOS CJM1216可兼容替换DMP1005UFDF助力光模块缓启动电路设计,解决市场缺货难题
在光模块输入端一般用PMOS搭缓启动电路,用于防止热插拔瞬间浪涌电流。之前有厂商会选择Diodes的DMP1005UFDF,由于今年缺货严重,本文给大家推荐一款可P2P兼容DMP1005UFDF的长晶科技PMOS CJM1216。
图1:CJM1216与DMP1005UFDF电性能参数对比
通过上述表格对比可知,
1、 CJM1216的Rds(on)要略高于DMP1005UFDF,但实际在缓启动电路设计中13mΩ已可满足要求;
2、 两者有相同的Vds 电压-12V,针对光膜块金手指3.3V电源轨,已预留充足余量;
3、 CJM1216与DMP1005UFDF的节温都为-55~150℃,保证MOS管的可靠性;另外两者栅极的阈值电压Vgs(th)基本一致,在实际应用时不用更改MOS栅极驱动电路参数;
4、 CJM1216替换DMP1005UFDF的最大优势是完全P2P兼容,都为DFN2*2-6小封装,可在老产品上直接贴片替换,大大缓解缺货情况,保证项目周期计划。
图2:DMP1005UFDF与CJM1216封装PIN脚对比
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长晶科技Trench MOS选型表
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产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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ID(A)
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Single-N
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Trench
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No
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60V
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0.2A
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5000mΩ
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6000mΩ
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选型表 - 长晶科技 立即选型
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长晶MOS选型表
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产品型号
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品类
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Status
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
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Package
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Active
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Single-N
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Trench
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No
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60
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-
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0.2
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0.8~3
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-
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5000
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-
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6000
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TO-92
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选型表 - 长晶科技 立即选型
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