【经验】平板电脑静电整改方案分享
除了辐射测试外,静电测试也是困扰许多工程师的一大难题,下面韬略科技与大家分享一个MTK平板电脑的静电整改方案:
测试环境如下图:
【现象描述】
在对该MID进行静电放电测试过程中,发现对USB端口施加接触±4kv的静电干扰时系统出现重启,在对耳机端口施加±8kv空气放电时,机器死机。
【原因分析】
(1)静电干扰直接影响到关键信号线。
(2)ESD电弧会产生一个频率范围在1-500MHz的强磁场,并感性耦合到邻近的每个布线环路中。
【整改对策】
一、整改措施1
主板底层参考地露铜处垫导电泡棉,使主板与屏后铁壳良好接触。(接地导体的电连续性设计不仅有利于辐射测试,对提高系统的抗ESD能力也极为重要。)
二、整改措施2
复位信号线靠近CPU端对地加1uf电容,建议同时串联一个几十ohm电阻。(由于机器出现重启现象,排除分析发现干扰通过空间耦合影响到复位信号线,在靠近CPU端对地加电容以减小复位信号的环路面积,降低天线效应。)
三、整改措施3
耳机端口信号线(左右声道,检测脚及模拟地)增加静电防护器件(整改过程中发现将耳机模拟地AGND断开后,样机静电测试情况有所改善,因此我们将问题点定位于AGND,在此处增加静电防护器件后样机不再出现死机现象。)
USB端口信号线(一对差分信号线、检测脚、电源)增加静电防护器件(对USB端口金属外壳施加静电干扰时,干扰信号在很难泄放到地的情况下,将耦合到USB信号线上,影响CPU性能)
【整改后情况】
接触±4kv静电测试:PASS(左)和空气±8kv静电测试:PASS(右)
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型号- TEPC0R2V05B1X,0.2KP-SMF,TLDCM7035-2-501TF,TMMPL111004,TF2010A4X SERIES,5KP-SMC,TESC3R0V05B1X,TF0806A2X430MT,TLCML2012-2-121,TEVD12R0V24B1X,TSSBXXXB1X,TEVC1R0V05B1X,TESD500R0V05B1X,3128,TEVA0R4V05D4X,TLDCM1513-2-301TF,TESB3R0V24B1X,1108,TSSCXXXB1X,TF2010A4X,5KP-SMC SERIES,TSMAXXXB1X SERIES,TF2010A4X900MT,0.4KP-SMA SERIES,TEVD300R0V05D1X,TLCML2012-2-900,6.6KP SERIES,TF2010A4X121MT,10KP SERIES,TEPC0R2V12B1X,TEVC3R0V05B1X,5KP,TEVC25R0V05B1X,TSSDXXXB1X SERIES,TSSBXXXB1X SERIES,TEVG15R0V24B2X,TF2010A4X201MT,TEVC10R0V3B1X,TF0806A2X670MT,TEPB0R2V05B1X,TESC0R15V05B1,6.6KP,TEF0806A2X900MT,TF0806A2X900MT,TF1210A2X900MT,TF2010A4X670MT,TEF1210A2X900MT,TEPB0R2V12B1X,TEPC0R2V09B1X,2501,TEF2012A4X101MT,TEVB20R0V12B1X,TF0806A2X,TEVD0R6V05B1X,TLCML2012-2-201,8KP,15KP SERIES,15KP,TEVH0R6V05D2X,TEVJ0R4V05D4X,TMMPI040402,TMMPL131205,TESC3R0V24B1X,0.2KP-SMF SERIES,TF1210A2X650MT,TSSDXXXB1X,TEF1210A2X500MT,0.4KP-SMA,TSMAXXXB1X,0.6KP-SMB SERIES,TEVG0R6V05D2X,5228,TF0806A2X SERIES,1.5KP-SMC SERIES,TLDCM4745-2-102TF,TEVB10R0V3B1X,1.5KP-SMC,TEVB25R0V05B1X,5KP SERIES,8KP SERIES,10KP,TESD400R0V14B1X,TEVD22R0V15B1X,TEPC0R05V24B1X,TMMPI050502,TEVD0R7V05D4X,TEPB0R2V09B1X,TEVB0R5V05B1X,TGMPL020201,TLCML2012-2-371,TEVP0R4V05D2X,TF2010A4X161MT,0.6KP-SMB,TEVB3R0V05B1X,TLCML4532-2-601,TEVD0R6V3B1X,TSSCXXXB1X SERIES,TEVD1R5V05B1X,TGMPI020101,TLDCM1211-2-701TF,TLCML4532-2-282,TEVC15R0V12D1X,TEF1210A2X350MT,TF1210A2X350MT,TESB3R0V05B1X,TMMPI070603
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产品型号
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品类
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Chip Size
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SRF(MHz)
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Rated Voltage (V)
|
Capacitance (A/B)
|
Tolerance
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BDL0603S035V100T
|
双线平衡滤波器
|
0603
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35
|
10
|
50000 pF
|
±20%
|
选型表 - 韬略科技 立即选型
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产品型号
|
品类
|
Package
|
Directional
|
Channel
|
VRAM Max (V)
|
Vbr@IT=1mA Min (V)
|
VC (V)
|
CJ@ Vr=0V,f=1MHz Type (pF)
|
Applications
|
TEVA15R0V05B1X
|
半导体静电抑制器
|
DFN0603-2L
|
Bi
|
1
|
5
|
5.6
|
6
|
15
|
General I/O
|
选型表 - 韬略科技 立即选型
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现货市场
服务
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实验室地址: 深圳 提交需求>
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