【产品】双对称N沟道MOSFET RU20D40M3,具有快开关速度和低栅极电荷,适用于开关应用系统

2023-01-28 锐骏半导体
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锐骏半导体推出一款双对称N沟道MOSFET RU20D40M3,封装为SDFN3030,具有开关速度快、100%雪崩测试等特性,满足无铅环保要求,适用于开关应用系统、DC/DC转换器等领域。


特点:

1. 20V/30A

    RDS (ON) =5mΩ(典型值)@VGS=4.5V

    RDS (ON) =7.5mΩ(典型值)@VGS=2.5V

2. 快开关速度

3. 低栅极电荷

4. 100%雪崩测试

5. 满足无铅、绿色环保(符合RoHS标准)

 

应用:

1. 开关应用系统

2. DC/DC转换器

 

绝对最大额定值参数

 

电气特性(TA=25℃,除非另有说明)

①脉冲宽度受限于安全工作区

②根据最大允许结温计算出的持续电流

③贴装在1英寸方形铜板时,t≤10s。

④受限于TJmax,IAS=9A,VDD=16V,RG=50Ω,开始于TJ=25℃

⑤脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%

⑥由设计保证,无需进行生产测试

 

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