【产品】AP6009S型N沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，静态漏源导通电阻小于18mΩ

时间： 2021-12-17 来源：铨力半导体

技术问答

AP6009S是铨力半导体推出的采用先进沟槽技术设计的的N沟道功率MOSFET，采用超低导通电阻的高密度单元设计，静态漏源导通电阻R_DS(ON)小于18mΩ，典型值为14 mΩ（测试条件为V_GS=10V），低导通电阻有效地降低了开关损耗，应用范围广泛。

AP6009S型N沟道功率MOSFET在25℃测试条件下的漏源电压V_DS最大值为60V，栅源电压V_GS最大值为±20V，漏极电流I_D最大值为9A（T_C=100℃时，I_D最大值为6.4A），脉冲漏源电流I_DM最大值为36A，耗散功率P_D最大值仅为2.6W，结到环境的热阻R_θJA最大为48℃/W，存储温度范围和工作结温范围都在-55°C~+150°C之间，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。

产品封装图如下

产品特点：

●V_DS=60V， I_D=9A

R_DS(ON) <18mΩ@V_GS=10V（典型值：14 mΩ）

R_DS(ON) <21mΩ@V_GS=4.5V（典型值：17.5 mΩ）

●采用超低导通电阻的高密度单元设计

●全特性雪崩电压和电流

●采用散热性能出色的封装

典型应用：

●电源开关应用

●负载开关

产品内部电路示意图：

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