【产品】AP6009S型N沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，静态漏源导通电阻小于18mΩ
AP6009S是铨力半导体推出的采用先进沟槽技术设计的的N沟道功率MOSFET，采用超低导通电阻的高密度单元设计，静态漏源导通电阻RDS(ON)小于18mΩ，典型值为14 mΩ（测试条件为VGS=10V），低导通电阻有效地降低了开关损耗，应用范围广泛。
AP6009S型N沟道功率MOSFET在25℃测试条件下的漏源电压VDS最大值为60V，栅源电压VGS最大值为±20V，漏极电流ID最大值为9A（TC=100℃时，ID最大值为6.4A），脉冲漏源电流IDM最大值为36A，耗散功率PD最大值仅为2.6W，结到环境的热阻RθJA最大为48℃/W，存储温度范围和工作结温范围都在-55°C~+150°C之间，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。
产品封装图如下
产品特点：
●VDS=60V， ID=9A
RDS(ON) <18mΩ@VGS=10V（典型值：14 mΩ）
RDS(ON) <21mΩ@VGS=4.5V（典型值：17.5 mΩ）
●采用超低导通电阻的高密度单元设计
●全特性雪崩电压和电流
●采用散热性能出色的封装
典型应用：
●电源开关应用
●负载开关
产品内部电路示意图：
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产品型号
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品类
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Package Type
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Configuration
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MOSFET Type
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VDS (V)
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VGS (V)
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Vth (V)
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
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AP2302B
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Trench Mos
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SOT23
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Single
|
N
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20
|
±8
|
0.5-1.2
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-
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45/52
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52/67
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-
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2
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-
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选型表 - 铨力半导体 立即选型
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