【产品】采用小尺寸封装的三相栅极驱动器BDR6319，工作范围-40~125℃，内置欠压和死区时间保护

时间： 2022-09-24 来源：巴丁微电子官网

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采购服务

BDR6319是一款可用于驱动功率MOSFET或IGBT的三相栅极驱动器。内置死区时间保护、击穿保护和UVLO保护功能。其采用高压BCD工艺和共模噪声抑制技术，通过使能引脚（ENB），使芯片进入待机模式。

特征

集成三路90V半桥驱动器

兼容3.3V和5V输入逻辑

低待机电流的使能引脚（ENB）

IO+/IO-：+1.2A/-2.0A，VCC=15V，VBS=15V

耐受负瞬态电压

内置死区时间保护、欠压保护

内置死区时间：0.5μs（typ.）

支持-40℃至125℃工作范围

小尺寸封装：TSSOP20L/24L、QFN24

应用电路

应用

电动车/电动工具三相电机驱动器

电池供电的微型/微型电机控制

通用逆变器

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0323 - LITTELFUSE - 选型指南 - v0323 代理服务技术支持采购服务

【应用】华大半导体单通道隔离栅极驱动器HSA6880用于三相永磁同步电机驱动，峰值电流高达3.5A

本文介绍了华大半导体的单通道隔离栅极驱动器HSA6880用于三相永磁同步电机的驱动方案。该产品峰值电流高达3.5A，采用了电流隔离技术，可实现工业和汽车应用所需的3333Vrms输入到输出隔离电压和高瞬态抗扰度（100V/ns）。

2023-03-28 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

ZH639D0 100V三相半桥栅极驱动器

描述- ZH639D0是一款高压高速半桥栅极驱动器，适用于功率MOSFET和IGBT。它具有高侧浮动电源供电，最高可达120V，内置自举二极管和源-漏平衡电路，无需在IC与功率晶体管栅极之间使用电阻或二极管。该驱动器提供三个输出通道，内部自适应死区时间控制以避免交叉导通，并具备高边欠压保护和锁存功能。

型号- ZH639D0

2024.06.18 - 赛卓电子 - 数据手册 - V1.6 代理服务技术支持采购服务

OB2136 650V三相半桥栅极驱动器IC

描述- OB2136是一款650V三相半桥栅极驱动IC，适用于高电压、高速驱动MOSFET和IGBT。它采用高压工艺和共模噪声消除技术，提供稳定的驱动器操作。具有过温保护、欠压锁定、互锁功能和逆变器过流跳闸等保护功能。输出驱动器提供600mA和900mA的源电流和吸收电流，适用于三相逆变器应用。主要特点包括浮空通道、正输入逻辑、使能/禁用控制、内置低压锁定和过压保护、交叉导通防止逻辑、过流保护、过温保护和故障输出指示等。

型号- OB2136CP,OB2136CPA,OB2136XXX,OB2136

2021/12/28 - ON-BRIGHT - 评估板使用说明代理服务技术支持采购服务

CS57064BP 单片高压智能直流无刷电机驱动电路

描述- CS57064是一款集成的三相IGBT逆变器模块，专为无刷直流电机驱动设计。该芯片采用SOI工艺制造，集成栅极驱动电路、自举二极管、IGBT和FRD，提供高可靠性和集成度。它具备多种保护功能，包括欠压闭锁、过流保护和过温保护，并支持正弦波控制。

型号- CS57064BP

2024/4/16 - 华润微电子 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

EG2136三相半桥电路驱动芯片数据手册

描述- EG2136芯片是一款用于N型功率MOSFET和IGBT的高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，具有高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V。该芯片包含三个独立的半桥驱动器，内置死区控制和闭锁功能，支持5V或3.3V输入电压，并提供欠压保护和过流保护。

型号- EG2136

2016年11月18日 - 屹晶微电子 - 数据手册 - REV1.0 代理服务技术支持采购服务

TMIM7303-Q1 90V 三相栅极驱动芯片

描述- 本资料介绍了TMIM7303-Q1三相栅极驱动芯片，这是一款适用于三相电机应用的90V半桥栅极驱动器。芯片具备内置死区时间和上下管直通保护功能，能有效防止电路损坏。它还集成了欠压锁定电路和共模噪声消除技术，支持多种逻辑电平，并提供低功耗待机模式。此外，该芯片广泛应用于电动车、电动工具及其他电池供电产品中的马达驱动。

型号- TMIM7303-Q1

2022.08 - 拓尔微电子 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

MS8080 晟矽微电 32 位 Arm Cortex-M0 MCU+预驱数据手册

描述- 本资料介绍了MS8080单片机的技术规格和应用信息。该单片机采用32位ARM Cortex-M0内核，具备48MHz的最高主频，内置高速存储器和丰富的外设接口。它还具有高压三相栅极驱动器，适用于电机驱动和其他功率MOS和IGBT相关应用。

型号- MS8080A0ZW,MS8080

2024-1-23 - 晟矽微电子 - 数据手册 - V1.0.1 代理服务技术支持采购服务

【应用】单通道光兼容隔离式栅极驱动器SLM343CK-DG用于三相小功率逆变器，最大峰值驱动电流能力达4A

小功率逆变器功率器件多采用IGBT单管，在高频开通关断时过程中，母线上几百上千伏的高压会通过驱动的高压侧耦合到低压PWM控制侧，造成低压控制侧器件损坏，为了保证控制器安全可靠的工作，驱动设计时必须要选带隔离的驱动芯片，其隔离电压要满足工业标准要求，单通道光兼容隔离式栅极驱动器SLM343CK-DG非常适用于三相小功率逆变器，一般功率都在20KW以内。

2023-06-23 - 应用方案代理服务技术支持采购服务