【产品】75V采用薄型SMD封装的功率MOSFET，漏源导通电阻最低为4.5mΩ，可提高电源效率

时间： 2019-04-12 来源：Shindengen

技术问答

P46LF7R5SL、P46LF7R5SN、P72LF7R5SL、P72LF7R5SN是新电元推出的四款功率MOSFET，允许大电流，结构紧凑，采用薄型SMD封装，均符合ROHS无铅标准，是环境友好型器件。四款产品漏源导通电阻最低为4.5mΩ，有助于降低MOSFET通过大电流时的自身发热，同时提高电源效率。主要应用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理等领域。

图1 四款功率MOSFET外观图

P46LF7R5SL、P46LF7R5SN、P72LF7R5SL、P72LF7R5SN四款产品的存储温度范围、沟道温度范围均为-55℃~175℃，具有出色的耐高温、低温性能和极强的环境适应能力，为恶劣环境下工作提供了可靠保障。同时热阻R_th(j-c)最大值分别为0.89℃/W、0.89℃/W、0.69℃/W、0.69℃/W，散热较快，可保障MOSFET长时间工作的稳定性，确保使用寿命。

P46LF7R5SL、P46LF7R5SN、P72LF7R5SL、P72LF7R5SN的漏源电压均为75V，单脉冲雪崩电流分别为28A、28A、43A、43A，可有效抑制雪崩效应，工程师可根据不同的需求进行选择，可靠性高，安全性好。同时，功耗较低，具有更快的开关速度，可以满足一般高频开关电路设计需求。详细参数见图3。

图3 四款功率MOSFET详细参数

P46LF7R5SL、P46LF7R5SN、P72LF7R5SL、P72LF7R5SN功率MOSFET主要特性：

•符合ROHS无铅标准

•存储温度范围均为-55℃~175℃

•采用薄型SMD封装

•低R_DS(ON）

•结构紧凑

P46LF7R5SL、P46LF7R5SN、P72LF7R5SL、P72LF7R5SN功率MOSFET主要应用领域：

•负载/电源开关

•电源转换器电路

•DC-DC转换器

•电源管理

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由薰衣草提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】汽车级功率MOSFET P140LF4QNK、P105LF4QNK，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用

P140LF4QNK、P105LF4QNK是ShinDengen推出的沟槽型功率MOSFET，体积小重量轻，符合AEC-Q101标准和ISO/TS16949标准，最大漏-源电压均为40V，最大漏极直流电流分别为140A和105A，适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用。【世强硬创沙龙2019】

新产品发布时间 : 2018-12-30

【产品】使机器尺寸减小40%的耐高压功率MOSFETMG020201，最大反向电压可达600V

MG020201是新电元推出的一款耐高压功率MOSFET，其最大反向电压可达600V，可满足高电压的工作环境。同时平均正向电流为30A，可满足大功率电路的设计应用。

新产品发布时间 : 2018-01-15

【产品】280V N沟道功率MOS管，较P沟道MOS管导通电阻更小

日本新电元（Shindengen）公司推出了一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管P13F28HP2/P17F28HP2/P21F28HP2，最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为280.0V，最大漏极持续电流（DC）Id为13.0/17.0/21.0A，静态漏源导通电阻Rds典型值为0.23/0.17/0.13Ω。可应用于负载/电源开关，继电器驱动，电源转换器电路等应用。

新产品发布时间 : 2018-05-05

亚成微电子（Reactor Microelectronics）AC-DC电源管理芯片选型指南

描述- 亚成微电子股份有限公司（简称“亚成微”），成立于2006年，是—家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，总部位于西安，在厦门、深圳、宁波、中山等地设有研发中心或客户支持中心。目前，基于“高速率功率集成技术平台”已量产包括射频功率放大器供电管理方案-包络跟踪芯片（ET)、智能功率开关芯片、AC/DC电源管理芯片、线性LED照明驱动芯片以及功率MOSFET在内五大产品线，可被广泛应用于无线通信、工业控制、汽车电子、消费电子以及LED照明等领域。

型号- RM6648S,RM673X,RM335X系列,RM6801ND,RM6601SDL,RM3353SA,RM3432SH,RM3434SH,RM3411SL,RM3352S,RM6515D,RM3360T,RM3432SA,RM3434SA,RM6648SC,RM6801NDL,RM335X,RM6514S,RM343X,RM673X 系列,RM3365DL,RM6510T,RM6732S,RM3430T,RM3430TH,RM341X 系列,RM672X 系列,RM1342S,RM3353DA,RM3368SL,RM3364SL,RM336X,RM6602T,RM6601SN,RM6601NDL,RM3360TL,RM6727S,RM3354SA,RM6601NDQ,RM3352SA,RM6000T,RM6501S,RM3412SL,RM3435SH,RM6501SN,RM6517D,RM6820NQL,RM1342SDL,RM3402AL,RM6601SD,RM3392SH,RM6603SC,RM6801SDL,RM3436DH,RM6734S,RM341X,RM672X,RM6604NDQ,RM336X系列,RM6730S,RM6604NDL,RM343X系列,RM6314DA,RM3402SA,RM6312DA,RM6801SD,RM3363SL

选型指南 - 亚成微电子 - V1.4 - 2022/8/3 PDF 中文下载

亚成微电子（Reactor Microelectronics）功率MOSFET选型指南

描述- 亚成微专注于高速率功率集成技术设计领域。主要产品包括功率MOSFET、AC/DC电源管理芯片、LED驱动芯片以及包络追踪射频功率放大器（ET-PA）等。产品可被广泛应用于5G通讯、消费电子以及LED照明等多领域中。亚成微拥有由多名博士带领的国际领先技术的设计团队，公司自主研发的产品已获得国家专利62项、国际专利3项，另有67余项专利正在受理中，其中包含9项国际专利。

型号- RMA65R1K0SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMC65R280SN,RMA65R950SN,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMG65R380SN,RMG65R650BN,RMXXXRXXX,RMC65R950SN,RMA65R650BN,RMA65R280SN,RMG65R1K0SN,RMC65R650BN,RMG65R280SN,RMC65R380SN

选型指南 - 亚成微电子 - 版本号：V1.1 - 2021/5/25 PDF 中文下载

40V/3A高效恒压恒流Buck DC-DC转换器ME3148，电压精度达1.5%，适用于车载充电领域

ME3148是MicrOne设计生产的一款40V/3A高效恒压恒流Buck DC-DC转换器，可以应用于车载充电领域，方便人们出行生活。内置的恒流环路使其还可以应用于LED驱动系统中，为节能环保贡献一份力量。该产品内部集成功率MOSFET，具有输入、输出电压范围宽，输出大电流，高效率，高性价比，高集成度，兼容性好等特点。

产品发布时间 : 2023-12-26

【经验】微源升压DC-DC转换器LP6216设计经验分享

微源LP6216是一款升压DC-DC转换器，工作电压范围2.5V至24V，输出电压最高达24V，内置3A电流的功率MOSFET，最高转换效率可达94%，可以稳定带载输出5V1A。

设计经验发布时间 : 2023-02-14

【产品】萨科微N沟道功率MOSFET器件2N7002，漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求

2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件，具有高漏源电压和高效导通等特点，适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求。同时，其导通电阻低，最小值为7.5Ω，能够提供更高的效率。此外，MOS管2N700的阈值电压高达2.5V，具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于布局设计和集成。

产品发布时间 : 2023-09-27

新洁能携车规级功率器件、栅极驱动IC、电源管理IC等十大产品平台的前沿产品及解决方案，亮相慕尼黑上海电子展

慕尼黑上海电子展隆重举办，新洁能全面展示了车规级功率器件、IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅沟槽型MOSFET、沟槽型MOSFET、碳化硅功率MOSFET、氮化镓功率HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC十大产品平台的前沿产品及解决方案。

原厂动态发布时间 : 2023-07-21

【产品】4.5~16V输入的电源管理IC IS6806A，内部集成驱动功率MOS，单相带载75A

长工微电子IS6806A电源管理IC是为低占空比同步降压应用优化的集成电源级解决方案，具备高电流、高效率和出色的热性能与高功率密度。5mmx6mm MLP封装，内部功率MOSFET能最大限度地减少开关和传导损耗。

产品发布时间 : 2023-03-04

蓝箭电子车规级MOSFET、二极管、三极管、电源管理IC等产品获第三方AEC-Q100/101验证

依托于公司自有的半导体封装测试全制程一站式生产平台，蓝箭电子建立了车规级专用生产线，严格按照AEC-Q100/101标准进行可靠性试验，车规级MOSFET、二极管、三极管、电源管理IC等产品获验证。

原厂动态发布时间 : 2023-06-20

【产品】采用SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET RU207C，可用于电源管理应用

锐骏半导体推出一款SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET——RU207C，采用超高密度单元设计，漏源电压最大额定值为20V，连续漏极电流最大额定值为6A（TA=25℃），具有低导通电阻特性，可靠、坚固，可用于电源管理应用。

产品发布时间 : 2022-04-18

【产品】SLKOR推出的N沟道和P沟道互补功率MOSFET SL607B，额定耗散功率为15W

SLKOR推出的N沟道和P沟道互补功率MOSFET，采用了Trench Power LV MOSFET技术和低RDS(ON) 的高密度单元设计，可以进行高速开关，TA=25℃时的绝对最大额定值方面，N沟道MOSFET漏源电压为30V，P沟道MOSFET漏源电压为-30V，可用于无线充电器，负载开关和电源管理。

产品发布时间 : 2023-06-18