【产品】75V采用薄型SMD封装的功率MOSFET，漏源导通电阻最低为4.5mΩ，可提高电源效率

时间： 2019-04-12 来源：Shindengen

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功率MOSFET,P46LF7R5SL,P46LF7R5SN,P72LF7R5SL

P46LF7R5SL、P46LF7R5SN、P72LF7R5SL、P72LF7R5SN是新电元推出的四款功率MOSFET，允许大电流，结构紧凑，采用薄型SMD封装，均符合ROHS无铅标准，是环境友好型器件。四款产品漏源导通电阻最低为4.5mΩ，有助于降低MOSFET通过大电流时的自身发热，同时提高电源效率。主要应用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理等领域。

图1 四款功率MOSFET外观图

P46LF7R5SL、P46LF7R5SN、P72LF7R5SL、P72LF7R5SN四款产品的存储温度范围、沟道温度范围均为-55℃~175℃，具有出色的耐高温、低温性能和极强的环境适应能力，为恶劣环境下工作提供了可靠保障。同时热阻R_th(j-c)最大值分别为0.89℃/W、0.89℃/W、0.69℃/W、0.69℃/W，散热较快，可保障MOSFET长时间工作的稳定性，确保使用寿命。

P46LF7R5SL、P46LF7R5SN、P72LF7R5SL、P72LF7R5SN的漏源电压均为75V，单脉冲雪崩电流分别为28A、28A、43A、43A，可有效抑制雪崩效应，工程师可根据不同的需求进行选择，可靠性高，安全性好。同时，功耗较低，具有更快的开关速度，可以满足一般高频开关电路设计需求。详细参数见图3。

图3 四款功率MOSFET详细参数

P46LF7R5SL、P46LF7R5SN、P72LF7R5SL、P72LF7R5SN功率MOSFET主要特性：

•符合ROHS无铅标准

•存储温度范围均为-55℃~175℃

•采用薄型SMD封装

•低R_DS(ON）

•结构紧凑

P46LF7R5SL、P46LF7R5SN、P72LF7R5SL、P72LF7R5SN功率MOSFET主要应用领域：

•负载/电源开关

•电源转换器电路

•DC-DC转换器

•电源管理

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