【产品】纳芯微新推非隔离高压半桥驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt
NSD1624是纳芯微最新推出的非隔离高压半桥驱动芯片，驱动电流高达+4/-6A，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。
纳芯微全新高可靠性1200V高压半桥驱动NS01624
》超高耐压：1200V（SOP14）， 700V（SOP8/LGA10）
》驱动电流高达：＋4A/－6A
》超高dv/dt抗扰度:100Kv/us
》超低传播延时:22ns（typ）
》SW pin超高耐负压能力
可广泛应用于
》光伏、储能等新能源领域
》空调压缩机、工业电机驱动
》高效高密度工业、通信、服务器电源
》半桥、全桥、LLC电源拓扑
如下图NSD1624功能框图所示，纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中，使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压，同时SW pin可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种高压半桥、全桥、LLC电源拓扑上。
NSD1624输入逻辑可兼容TTL/CMOS，方便控制。高压侧和低压侧均具备独立的供电欠压保护功能（UVLO），能在10~20V电压范围内工作。此外，NSD1624可提供SOP14，SOP8，LGA 4*4mm多种封装形式。
NSD1624功能框图
NSD1624简化应用电路
解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt的痛点
图一：半桥驱动IC典型应用电路图示
图二：Q1、Q2管子开关过程中，SW产生震荡和负压
上图一所示是半桥驱动IC非常典型的应用电路。在Q1、Q2管子开关过程中，SW 会产生一定程度的震荡，同时会有负压产生，如上图二所示。如果驱动IC SW pin 耐负压能力比较低，就会导致IC损坏。
SW pin 产生震荡和负压的原因是：当上管关闭时，由于负载呈感性，电流不能突变，电流便会从GND 通过下管的体二极管进行续流，如图一的红色箭头方向所示。在真实电路中，该电流路径上许多地方会存在寄生电感，如图一的绿色电感。
SW的电压Usw=-Lss * (di/dt)，通过公式可以看出，续流电流通过路径中的寄生电感，会在SW上产生负压。如果负载电流越大，开关频率越高，即di/dt大，同时电路中寄生电感越大，即Lss值越大，则SW产生的震荡和负压就会越大，就会越容易损坏驱动IC。
此外，开关频率越大，SW产生的dv/dt就越大。如果选择的驱动IC dv/dt 抗干扰能力不足，便会导致驱动IC内部逻辑错误，可能会使得驱动IC的HO 和 LO同时输出高电平，使得上下管同时打开，造成短路，甚至烧坏管子。
纳芯微创新地将隔离技术方案应用于NSD1624 高压半桥IC中，很好解决了上述问题，即：SW pin负压和高dv/dt的痛点。该创新技术，使得NSD1624 SW pin 电压能够承受高达±1200V，可以承受非常高的负压；同时dV/dt抗干扰能力超过100kv/us。因而 NSD1624 非常适合高频、高压、高可靠性的应用场景，符合电源行业发展的趋势。
产品特性
》高压侧电压范围：1200V （SOP14封装）；
700V （SOP8 ／ LGA10 封装）
》SW pin耐压：±1200V （SOP14封装）；
±700V （SOP8/LGA10 封装）
》高压侧dV/dt抗干扰能力:100kv/us
》驱动电流能力:＋4/－6A
》VDD最大耐压值：24V
》高压侧和低压侧均有独立的供电欠压保护功能
》输入逻辑可兼容TTL/CMOS
》典型传播延时:22ns
》最大延时匹配:7ns
》工作环境温度:－40℃～125℃
》符合 RoHS 标准的封装类型：SOP8/SOP14/LGA10
应用场景
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产品型号
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品类
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描述
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特性及保护
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封装
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耐压(V)
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驱动电流能力(mA)
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调速方式
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KP86201
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交流电机控制芯片
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单相交流电机控制芯片
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OTP/OCP/
System OTP
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SSOP24L
(0.635-D1.40)
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650
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200/300
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PWM/模拟电阻
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描述- NOVOSENSE Microelectronics (NOVOSENSE, SSE Stock Code 688052) is a highly robust & reliable analog and mixed signal Chip company. Since its establishment in 2013, the company has been focusing on sensor, signal chain, and power management, providing comprehensive semiconductor products and solutions, which are widely used in automotive, industrial, information communication and consumer electronic
型号- NSI6602NA-DLAR,NSL21924-Q1,NCA1051,NSI6602VC-Q1SWR,NSI6622NB-Q1SWKR,NCA1051N-Q1SPR,NSM2017,NSI6602NC-Q1SWR,NSM2019,NSM211X,NSI6602A-Q1SWKR,NSM2013,NIRS485,NSIP83086,NSI6622VB-Q1SPOR,NSM2015,NSM2016,NSC9260X,NSHT30-CLAR,NSD1624-Q1SPR,NSM2011,NSM2012,NSI8231,NSI8230,NSD2621C-DQAGR,NSR33XXX,NSC9262,NSC9260,NSI6801LC-DDBR,NSI6602VD-Q1SWKR,NSC9264,NSP1830,NSG65N15K-DQAFR,NST112X,NCA1042C-Q1DNR,NCA1042,NCA1042A-Q1DNHR,NSI8220NX,NSI6622A-DSWKR,NSI6801TB-DDBR,NSD1624-DSPKR,NSP1833,NST7719,NSP1831,NSP1832,NSM1052,NSM1053,NSI8222,NSA2860X,NSI8221,NSI8220,NSE5701 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巴丁微电子（BD MCRIO）电机驱动芯片选型指南
描述- 深圳市巴丁微电子有限公司（简称“巴丁微”）成立于2016年9月，是一家专业的集成电路设计与系统方案设计的国家级高新技术企业，总部位于深圳市南山区国际创新谷。专注于高性能、高品质的模拟及数模混合集成电路芯片与系统方案研发与销售，其电机驱动控制、电源管理等产品广泛应用于消费类和工业控制领域。
型号- BDR2L00,BDR6133,BDR6121B,BDR6121,BDR6300,BDR6121H,BDR6200,BDR6120H,BDR6126,BDR6136,BDP4056,BDR6622T,BDR6831T,BDR6306,BD6525,BDR6319,BDR6307,BDR6318,BDR6120S,BDR6122TC,BDR6122T,BDR6316A
电子商城
现货市场
服务
提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务，帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号，确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 成都 提交需求>
世强深圳实验室提供Robei EDA软件免费使用服务，与VCS、NC-Verilog、Modelsim等EDA工具无缝衔接，将IC设计高度抽象化，并精简到三个基本元素:模块、引脚、连接线，自动生成代码。点击预约，支持到场/视频直播使用，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
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