【应用】全碳化硅MOS C3M0075120K助力光伏逆变器升压电路设计，性能更优异

时间： 2019-02-19 来源：Wolfspeed

如下图1为典型的光伏逆变器框图。主要由BOOST电路和逆变电路组成。BOOST电路实现的功能是在对光伏电池板的直流电升压的同时，完成MPPT（最大功率跟踪）功能。逆变电路的功能是将直流电转化为符合并网要求的交流电。

BOOST电路的功率器件通常选择IGBT单管和SiC二极管搭配使用。为了提高功率密度，需要BOOST开关频率越高，因为这样可以降低BOOST电感体积，提高功率密度，由于IGBT的开关频率受制于开关速度和拖尾电流等因素，其开关频率一般不超过20kHz，如果开关频率过高的话，会导致开关损耗太大，发热量剧增而损坏。因此，要想进一步提高开关频率，需要选择开关速度快、损耗低的sic MOSFET作为功率开关，下面我们就介绍WOLFSPEED（科锐）推出的SIC MOSFET，型号为：C3M0075120K 。

C3M0075120K SIC MOSFET产品技术优势如下：

1、采用自带独立驱动源引脚的TO-247-4封装，可有效消除电压降对源极封装寄生电感的影响，可以最大限度地减少门极振荡从而减少光伏系统损耗；

2、在Tc=25℃条件下，75mΩ导通电阻+51nC总栅极电荷，具有更低的导通损耗和开关损耗特性；同时，在高温Tc=100℃条件下，仍可维持较低的导通电阻（典型值为100mΩ），器件的总开启时间为33ns，总关闭时间为44ns，具有快速开关能力，可满足用户高速开关的需求。因此在提高工作效率的同时降低了光伏系统的冷却需求；

3、反向传输电容低至3pF，可有效抑制开关噪声，改善Vge波形振铃，避免关断期间因栅极振动过大出现误导通现象，保证了光伏系统的稳定性。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 1
| 转发至：

本文由龙行天下提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（1）

吊个天 Lv7. 资深专家 2019-04-01

好家伙，就用它了。

没有更多评论了

中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

2024-11-28 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

HI-SEMICON多款MOSFET产品满足光伏逆变器的不同应用需求

SiC MOSFET产品在光伏逆变器中是一种重要的功率开关器件，可以承担关键的电源开关和电流控制功能。在光伏逆变器中，SiC MOSFET产品通常作为主开关管使用，用于控制输入直流电源的开关和输出交流电源的频率和电压。HI-SEMICON提供多款MOSFET产品满足光伏逆变器的不同应用需求。

2023-10-24 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】Littelfuse SiC MOSFET/SiC二极管用于三相光伏逆变器，实现99%转换效率

Littelfuse SiC MOS管和二极管应用于光伏逆变器BOOST升压电路，SiC MOS管栅极电荷低至95nC，开关损耗很低，开关频率可运行到100kHz以上。SiC二极管反向恢复电流可忽略不计，支持高频开关电路，开关损耗极低，可有效降低开关损耗，提高整机效率。

2020-11-26 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - WIFI模块,FUSE,SIC场效应晶体管,PCB导热材料,保险丝,DC-DC,TVS,隔离芯片,导轨端子,LDO,电流传感器,驱动IC,滤波磁环,IGBT模块,驱动光耦,SIC二极管,半导体制冷片TEC,PCB端子,干簧继电器,SIC MOSFET,滤波电容,蓝牙模块,导热垫片,单片机,相变材料,IGBT单管,MCU,MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS,30~80KW组串式光伏逆变器,组串式光伏逆变器,光伏逆变器,光伏发电系统

优选器件方案 - V2.1

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

2024-10-09 - 产品代理服务技术支持采购服务

中瑞宏芯基于第二代SiC MOSFET技术推出1200V 20/30mΩ低开关损耗产品，专为高频、高效应用开发

中瑞宏芯（Macrocore）针对大功率充电桩、电机驱动等开关频率高、功率大的应用需求，基于第二代SiC MOSFET技术，开发了1200V 20mΩ，1200V 30mΩ低开关损耗产品。

2024-12-04 - 产品代理服务技术支持采购服务

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

2020-12-29 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET，已通过AEC-Q101认证

瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）产品（IV1Q12160D7Z），该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证（AEC-Q101）。

2023-06-26 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【方案】125kW（1500VDC系统）光伏逆变器优选器件方案

本方案基于 1500VDC 系统，提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块，内置全 SiC MOS 和二极管，以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构，耐压高达 2400V，在满足1500V 系统耐压需求的基础上，采用了低耐压的 IGBT，实现了较高的开关频率，有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。

WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,CREE,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,EPSON,PI,ROGERS,MELEXIS - IGBT模块,RTC,WIFI模块,驱动光耦,SIC场效应晶体管,SIC二极管,半导体制冷片TEC,干簧继电器,PCB导热材料,SIC MOSFET,接线端子,导热垫片,单片机,TVS,实时时钟,隔离芯片,相变材料,电流传感器,驱动IC,滤波磁环,MCU,TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K,光伏系统,1500VDC系统,光伏逆变器

优选器件方案 - V1.1