【应用】国产双通道高速栅极驱动器助力5V/100A电池化成检测设备，驱动电流可达4A

时间： 2022-03-06 来源：世强

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如图1为电池化成检测设备中电源部分的电路图框，其主要电路拓扑是半桥LLC加输出同步整流构成，输出5v稳定电压给后级电池充电；在后级同步整流部分，因电流达几十安甚至上百安，通常需要多个MOS管并联，以缓解电流应力，减少发热量；故后级同步整流部分，多个MOS管的驱动需要用到驱动电流较大的MOS管驱动芯片。

本文主要介绍国产上海瞻芯电子的双通道高速栅极驱动器 IVCR2401DPR应用于5V/100A电池化成检测设备电源的优势。

图1: 电池化成检测设备电源部分的电路图框

国产上海瞻芯电子的双通道高速栅极驱动器IVCR2401DPR应用于5V/100A电池化成检测设备电源的优势如下：

1、IVCR2401DPR最大供电电压为25V，实际应用中MOS管主要是12V电压驱动，可知其具备较高耐压余量，适合用于电压波动较大的应用场景；

2、IVCR2401DPR拉、灌的峰值电流为4A，驱动能力强，可适用驱动不同厂家的MOS；

3、传播延迟典型值为45ns，适合应用于开关速度高的场合，以提高系统控制的时效性；同时，两通道之间的延迟时间低至1ns，故两个通道一起并联使用，可驱动更多MOS管，提高使用的灵活性，减少驱动芯片使用，降低成本；

4、SOIC8封装，封装体积小，可节省布局空间；同时底部带散热焊盘，提高散热能力，工作更加可靠；

5、工作结温-40°C~125°C，具有宽的工作温度范围，可适应恶劣复杂环境。

图2：IVCR2401DPR管脚定义以及典型应用

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产品型号	品类	封装	Channels	Vcc(V)	Iout(Source/Sink)	Prop.Delay(ns)
IVCR1401DR	4A 单通道高速智能驱动器	SOIC-8	1	35V	4A/4A	45ns

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