【应用】国产双通道高速栅极驱动器助力5V/100A电池化成检测设备，驱动电流可达4A
如图1为电池化成检测设备中电源部分的电路图框，其主要电路拓扑是半桥LLC加输出同步整流构成，输出5v稳定电压给后级电池充电；在后级同步整流部分，因电流达几十安甚至上百安，通常需要多个MOS管并联，以缓解电流应力，减少发热量；故后级同步整流部分，多个MOS管的驱动需要用到驱动电流较大的MOS管驱动芯片。
本文主要介绍国产上海瞻芯电子的双通道高速栅极驱动器IVCR2401DPR应用于5V/100A电池化成检测设备电源的优势。
图1: 电池化成检测设备电源部分的电路图框
国产上海瞻芯电子的双通道高速栅极驱动器IVCR2401DPR应用于5V/100A电池化成检测设备电源的优势如下：
1、IVCR2401DPR最大供电电压为25V，实际应用中MOS管主要是12V电压驱动，可知其具备较高耐压余量，适合用于电压波动较大的应用场景；
2、IVCR2401DPR拉、灌的峰值电流为4A，驱动能力强，可适用驱动不同厂家的MOS；
3、传播延迟典型值为45ns，适合应用于开关速度高的场合，以提高系统控制的时效性；同时，两通道之间的延迟时间低至1ns，故两个通道一起并联使用，可驱动更多MOS管，提高使用的灵活性，减少驱动芯片使用，降低成本；
4、SOIC8封装，封装体积小，可节省布局空间；同时底部带散热焊盘，提高散热能力，工作更加可靠；
5、工作结温-40°C~125°C，具有宽的工作温度范围，可适应恶劣复杂环境。
图2：IVCR2401DPR管脚定义以及典型应用
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有个项目，需要用到双通道驱动，是用来通过pwm信号驱动mos管来控制，世强这边有合适的推荐吗？
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瞻芯电子Si/SiC MOSFET驱动芯片选型表
提供瞻芯电子Si/SiC MOSFET驱动芯片选型,业界首创的8-引脚;工作电压覆盖24V~35V;4A值拉,灌电流;低延迟(45ns典型,16ns,15ns); Channels:1~2; Iout(Source/Sink)4/4, 2/4, 4/8;封装:SOIC-8,SOT23-6,SOIC-8 (EP),MSOP-8,SOT-23-5
|
产品型号
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品类
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封装
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Channels
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Vcc(V)
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Iout(Source/Sink)
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Prop.Delay(ns)
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IVCR1401DR
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4A 单通道高速智能驱动器
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SOIC-8
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1
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35V
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4A/4A
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45ns
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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支持铲齿散热器鳍片最大加工厚度0.1-10mm，最大宽度600mm，铝挤散热器鳍片最小铝挤厚度5mm，最小鳍片间距1cm；定制散热器产品工艺有热管焊接，穿片，打磨，铲齿，铝挤及CNC加工修边飞面等。
最小起订量： 2pcs 提交需求>
提供7~27寸工控机定制，支持嵌⼊式/ 壁挂式 /桌⾯式/悬挂式等安装方式，采用纯平⾯板IP65防尘防⽔等级，莫⽒7级硬度触摸屏，兼容多种操作系统：组态软件/安卓/XP/win7/8/10/Linux等，支持主板、接⼝、外观、⽀架、刷卡器、⾝份证阅读器、LOGO、⻨克⻛、系统、电池、蓝⽛、4G/5G、摄像头、GPS系统、⼆维码扫描器、指纹等特殊应⽤场景定制
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