【应用】碳化硅肖特基二极管G5S12050PM用于小功率光伏逆变器,零反向恢复电流可降低对管开关管的开通损耗
某客户新开发一款中小功率光伏逆变器,Boost PFC电路部分需求一款国产碳化硅肖特基二极管。参数要求:反向重复峰值电压VRRM 1200 V,正向平均电流IF:65A@125℃,正向不重复峰值电流IFSM 要求300A@TC=25℃, tp=10ms ,Half Sine Wave ,封装TO-247。本文推荐泰科天润碳化硅肖特基二极管G5S12050PM用于光伏逆变器,具有零反向恢复电流特性。
图一 G5S12050PM管脚图
图二 G5S12050PM用于光伏逆变器应用电路图
泰科天润碳化硅肖特基二极管G5S12050PM用于小功率光伏逆变器的优势如下:
1、泰科天润碳化硅肖特基二极管G5S12050PM采用TO-247AC封装,反向重复峰值电压为1200V,工作温度为-55~175℃,零正向恢复电压、开关特性不受温度影响、适合光伏逆变器高温、高频等应用场景下工作
2、泰科天润碳化硅肖特基二极管G5S12050PM具有零反向恢复电流,可降低对开关管的开通损耗
3、泰科天润碳化硅肖特基二极管G5S12050PM具有很高的浪涌电流能力,正向不重复峰值电流 IFSM可达250A,抗冲击性较强,保证光伏逆变器的可靠性
4、泰科天润碳化硅肖特基二极管G5S12050PM,结到管壳的热阻典型值在0.26℃/W,热特性较好,保证了器件长时间使用寿命,适合在光伏逆变器上应用
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泰科天润碳化硅二极管选型表
提供泰科天润碳化硅二极管选型,覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等,覆盖常规功率段,晶圆尺寸:4寸/6寸,VRRM(V):650V-3300V。
产品型号
|
品类
|
晶圆尺寸
|
Package
|
Config.
|
VRRM(V)
|
IF(A)(Tc=160℃)
|
IF(A)(Tc=125℃)
|
IF(A)(Tc=25℃)
|
IFSM(A)(Tc=25℃)
|
RTH-JC(Typ.)(℃/W)
|
Qc(nc)(Tj=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
|
G51XT
|
碳化硅肖特基功率二极管
|
4寸
|
SOD123
|
单芯
|
650
|
0.65
|
1
|
1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
|
1.2
|
1.38
|
1.6
|
1.57
|
2
|
0.07
|
50
|
0.2
|
100
|
选型表 - 泰科天润 立即选型
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品,电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
HI-SEMICON(深鸿盛)碳化硅肖特基二极管选型表
目录- 碳化硅肖特基二极管
型号- SC3D10065E,SC3D04065E,SC3D12065A,SC3D10065A,SC3D04065I,SC3D02065A,SC3D06065E,SC3D30065H,SC3D08065A,SC3D06065A,SC3D10065I,SC3D04065A,SC3D08065E,SC3D16065A,SC3D06065I,SC3D16065H,C3D02065I,SC3D20065D,SC3D50065H,SC3D20120D
时科碳化硅肖特基二极管Q-SSC20120-T,光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩的最佳选择
在电子设备的设计和应用中,选择合适的碳化硅肖特基二极管是确保电路性能和可靠性的关键步骤。时科的碳化硅肖特基二极管又有什么优势呢?本文中时科小编将详细介绍Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管及其性能优势,帮助工程师朋友更好地了解这款产品的卓越之处。
碳化硅肖特基二极管的优势及应用
肖特基二极管,又称热载流子二极管,通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒,实现整流。与普通PN结二极管相比,肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此,肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅(SiC)是一种高性能的半导体材料,基于SiC的肖特基二极管(SiC Schottky Diode)具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限。
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