【产品】专为汽车应用设计的N沟道SGT MOSFET AKG4N009DAM-A，导通电阻0.8mΩ

时间： 2022-11-17 来源：瑶芯微

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瑶芯微推出型号为AKG4N009DAM-A的N沟道SGT MOSFET，该器件专为汽车应用而设计，并由通过IATF16949认证的设备生产制造。器件符合AEC-Q101认证标准和符合PPAP要求，具有极低的导通电阻（R_DSON）和出色的Q_G×R_DSON（FOM）。

产品特点：

•出色的栅极电荷×R_DSON（FOM）

•极低的导通电阻

•符合RoHS标准

•无卤器件

•符合AEC-Q101认证标准和符合PPAP要求

应用范围：

•汽车发动机控件

•动力系统管理应用

•电磁阀驱动和马达驱动器

•电子转向

关键性能参数：

订购信息：

注释：

1.详细信息，可联系ALKAIDSEMI销售

最大额定值（除非另有说明，TA=25℃）

热特性

注释：

1.最大漏极电流额定值受封装限制

2.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

3.L=0.5mH，V_DD=20V，I_AS=TBD，R_G=25Ω，T_J=25℃开始

电特性（T_J=25℃，除非另有说明）

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