【产品】适用于高压开关的NPN型功率晶体管CZT2680，集电极-基极电压为250V

时间： 2019-03-29 来源：Central

技术问答

Central Semiconductor是世界一流的分立半导体制作商，力求为客户提供高品质、高可靠性产品。该公司推出的一款表面安装硅高压NPN型开关功率晶体管——CZT2680，使用外延平面工艺制造，采用SOT-223表面贴装进行封装，将功率和高速开关特性相结合，主要适用于驱动器和一般高压开关应用领域。

图一 CZT2680晶体管产品图

CZT2680功率晶体管的工作和存储结温为-65 ~ +150℃，具有较好的耐高温和耐低温性能，在恶劣环境中工作具有较强的适应能力。该产品具有较高的耐压值，集电极-基极电压V_CBO最大值为250V，集电极-发射极电压V_CEO最大值是200V，发射极-基极电压V_EBO最大值为6V，高电压保证了器件的正常工作而不受损坏。此外，CZT2680晶体管的连续集电极电流I_C最大值为1.5A，峰值集电极电流I_CM为2A。

CZT2680具有较低的饱和压降V_CE(SAT)最大值仅为500mV（I_C=1.0A, I_B=150mA条件下），直流电流增益h_FE最小值为15（V_CE=5.0V, I_C=1.0A条件下），详细电气数据如下表（T_A=25°C）。

产品其他特点：

具有高速的开关切换特性

具有较好的低功耗性能，功耗最大值为2W

结-环境热阻为62.5 °C/W

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