【产品】适用于高压开关的NPN型功率晶体管CZT2680，集电极-基极电压为250V
Central Semiconductor是世界一流的分立半导体制作商，力求为客户提供高品质、高可靠性产品。该公司推出的一款表面安装硅高压NPN型开关功率晶体管——CZT2680，使用外延平面工艺制造，采用SOT-223表面贴装进行封装，将功率和高速开关特性相结合，主要适用于驱动器和一般高压开关应用领域。
图一 CZT2680晶体管产品图
CZT2680功率晶体管的工作和存储结温为-65 ~ +150℃，具有较好的耐高温和耐低温性能，在恶劣环境中工作具有较强的适应能力。该产品具有较高的耐压值，集电极-基极电压VCBO 最大值为250V，集电极-发射极电压VCEO最大值是200V，发射极-基极电压VEBO最大值为6V，高电压保证了器件的正常工作而不受损坏。此外，CZT2680晶体管的连续集电极电流IC最大值为1.5A，峰值集电极电流ICM为2A。
CZT2680具有较低的饱和压降VCE(SAT)最大值仅为500mV（IC=1.0A, IB=150mA条件下），直流电流增益hFE最小值为15（VCE=5.0V, IC=1.0A条件下），详细电气数据如下表（TA=25°C）。
产品其他特点：
具有高速的开关切换特性
具有较好的低功耗性能，功耗最大值为2W
结-环境热阻为62.5 °C/W
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