【产品】全新170V/6.8mΩ的eGaN FET EPC2059,尺寸仅2.8×1.4mm
EPC推出的EPC2059是一款增强型氮化镓功率晶体管(eGaN FET),漏源电压170V,典型导通电阻6.8mΩ,连续漏极电流24A,脉冲漏极电流102A。EPC2059仅以带有焊条的钝化芯片形式提供,芯片尺寸2.8mm×1.4mm,符合RoHS 6/6要求、无卤素。
由于氮化镓材料具有极高的电子迁移率和低温度系数,可实现较低的导通电阻(RDS(on)),横向器件结构和多数载流子二极管具有极低的栅极电荷(QG)和零反向恢复电荷(QRR)。因此,该器件适合要求开关频率高、导通时间短的应用,以及对导通损耗有严格要求的应用。
产品优势
· 开关频率更快:更低开关损耗及更低驱动功率
· 效率更高:更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
· 极低的栅极电荷(QG)
· 占板面积更小:实现更高功率密度
应用
· DC/DC转换器
· 隔离型DC/DC转换器
· USB-C PD快充充电器和适配器
· 无刷直流电机驱动器
· 面向AC/DC及DC/DC应用的同步整流
· 光学遥感技术/脉冲式功率应用
· D类音频放大器
最大额定值
静态特性(TJ=25℃,除非另有规定)
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
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