【产品】全新170V/6.8mΩ的eGaN FET EPC2059,尺寸仅2.8×1.4mm
EPC推出的EPC2059是一款增强型氮化镓功率晶体管(eGaN FET),漏源电压170V,典型导通电阻6.8mΩ,连续漏极电流24A,脉冲漏极电流102A。EPC2059仅以带有焊条的钝化芯片形式提供,芯片尺寸2.8mm×1.4mm,符合RoHS 6/6要求、无卤素。
由于氮化镓材料具有极高的电子迁移率和低温度系数,可实现较低的导通电阻(RDS(on)),横向器件结构和多数载流子二极管具有极低的栅极电荷(QG)和零反向恢复电荷(QRR)。因此,该器件适合要求开关频率高、导通时间短的应用,以及对导通损耗有严格要求的应用。
产品优势
· 开关频率更快:更低开关损耗及更低驱动功率
· 效率更高:更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
· 极低的栅极电荷(QG)
· 占板面积更小:实现更高功率密度
应用
· DC/DC转换器
· 隔离型DC/DC转换器
· USB-C PD快充充电器和适配器
· 无刷直流电机驱动器
· 面向AC/DC及DC/DC应用的同步整流
· 光学遥感技术/脉冲式功率应用
· D类音频放大器
最大额定值
静态特性(TJ=25℃,除非另有规定)
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产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
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