【应用】车规级MOS管BSS123-Q1应用于汽车激光雷达，静态漏电流仅1μA，连续漏极电流为200mA
激光雷达是车辆实现L3级以上智能驾驶必不可少的配置，我们可以将其视作汽车的眼睛，激光雷达可以更加精准地感知道路情况，电脑系统可根据雷达探测的信息对车辆发出相关指令，让车子实现更加出色的自动辅助驾驶功能。越来越多的厂家发力推进激光雷达的研制项目。某用户在激光雷达中需要用到车规级的MOS，主要是用于对激光的控制，我们推荐了安邦的车规级MOS管BSS123-Q1，BSS123-Q1的静态漏电流仅为1μA，连续漏极电流为200mA，脉冲漏极电流可达800mA，漏源极电压可达100V。
下图为BSS123-Q1的漏源电阻与温度曲线关系图，由图可知：当Vgs=10V时，随着温度的升高漏源电阻也随之升高，最大不超过5Ω。
车规级MOS管BSS123-Q1应用于汽车激光雷达有如下优势：
1、 静态漏电流仅为1μA，连续漏极电流可达200mA，漏源极电压可达100V，满足多场景应用；
2、 它封装为SOT23，体积小巧，可以减小激光雷达的布板面积，优化产品空间；
3、 BSS123-Q1为车规级MOS，工作结温最高可达150℃，稳定性高；
4、 它的性价比高，可以兼容多款非国产MOS。
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安邦（ANBON）与其他品牌产品型号对照表
型号- 2N7002E,MBR20150CT,SMAJ6.0CA,AS2101W,1N5408G,AD15N10S,SD103AX,SU15100-T,BZT52C27S,BZT52C15S,B5819WS,BAT52C5V1,BZX84C9V1,MMBT3904T,FR107G,SMAJ33CA,1N4007G,SR140,1N4148WS,AD60N04S,1N4148WT,AS3622S,BZT52C5V6,MMBT4401,MBR20100CT,SS510-C,BAT54S,BZT52C5V1S,DSK320,AS3416E,BAS21A,BAT54C,BAT54A,AS6385,BC817-25,BAT54CT,DSK24,1N4733A,SL34-B,SL34-A,AS7328S,DSK110,MBR10200CT,AD20N06S,BZX84C6V8,2N7002ET,AS3415E,HER103G,BZX84C2V7,ES2D-B,BZX84C2V4,ASB05DF,BAT46W,DSK14,BZT52C20S,BZT52C4V7,S1M-F,BZT52C6V8S,DSL14,KMB24S,BZX84C10,SS34-F,US3G-B,ES3J-C,SZ455G,AS53N06S,BZX84C16,DSL24,MMBT5551,BZX84C15,SS34-B,SS34-A,MMBT5401,SML4744A,1N4148W,BZT52B5V6,SL54-A,BSS123,S2M-B,MM5Z4V7C,S2M-A,BZT52C47S,BZT52B5V1,MMBT3904,BZT52C5V6S,MMBT3906,BZX84C3V9,AD12P06S,SMBJ30CA,AS4406S,BAV99,SS24-A,HER105G,AS2301,BZT52C10S,AS2302,BZT52C9V1S,AS2304,BSS138,BZT52C22S,GBLC24C,AS04N15,BZT52C18S,BZT52C3V3S,AS2305,BZT52C6V2S,DSU14,AS4435S,AS150N06S,SS8050,AS2312,AS3401,AS6005RS,GBLC05C,AS2310,AS3400,N/G,AS1012ET,BAV21WS,BZT52C13S,AS3407,BAV70,BZX84C4V7,BZX84C8V2,MMBD4148,AD25P06S,MMBT2222A,AS40P03S,ES2J-B,DHE1M,SM12,AS2324,BZT52C12S,TL431 精度0.5%,BC846B,BZT52C2V7,1N5352B,AD30N10S,SU5100-T,SMF6.0CA,BZT52C2V4,BZT52C24S,SMBJ40CA,SS36-B,BZT52B15,SS8550,SS210-B,BAV21W,DSR1M,SS210-A,RB551V-30,SMCJ22A,SS36-A
安邦场效应管选型表
车规级别的场效应管，四种类别场效应管，分别是互补式，双通道，N沟道，P沟道，适用于超小型便携式电池管理，电子产品，负载切换，电源切换，接口切换，逻辑电平转换等。
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产品型号
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品类
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VDS_Max (V)
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VGS_Max (V)
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Ciss_Typ (pF)
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AEC-Q101 Qualified
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VGS(th)_Max (V)
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ID_Max (A)
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RDS(ON)_Max @ VGS = 4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)_Max @ VGS = 2.5V (mΩ)
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ESD
|
Channel Type
|
RDS(ON)_Max @ VGS = 1.8V (mΩ)
|
Package
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Tj (℃)
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AS2002ET-Q1
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场效应管
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20V
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±12V
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79pF
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AEC-Q101 Qualified
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1V
|
0.75A
|
380mΩ
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450mΩ
|
ESD
|
N
|
800mΩ
|
SOT-523
|
150℃
|
选型表 - 安邦 立即选型
安邦车规产品介绍
型号- BZT52C7V5-Q1,1N4148W-Q1,MMBT3906-Q1,S2G-B-Q1,B5819W-Q1,SS56-C-Q1,BZX84BXX-Q1,SS26-B-Q1,ES2J-B-Q1,S1J-A-Q1,S2M-B-Q1,SS110-A-Q1,BAS21-Q1,BAT54A-Q1,GBJ3510-Q1,SM8SXXA-Q1,RB521S-30-Q1,BZX84CXX-Q1,SS34-C-Q1,GBJ5012-Q1,BAT54WS-Q1,BZT52BXXS-Q1,BZT52BXX-Q1,BAV99-Q1,SMBJ24A-Q1,BAV70-Q1,MMBT2222A-Q1,BAS70-Q1,BZT52CXX-Q1,SMBJ-Q1,SM8S SERIES,SMAJ-Q1,SS24-B-Q1,SMCJ-Q1,MMBT5401-Q1,SM8S,S3M-C-Q1,BAT54C-Q1,MMBT3904-Q1,GBJ5006-Q1,BZT52CXXS-Q1,1N4148WT-Q1,S1M-A-Q1,SS36-C-Q1,BAT54S-Q1,BAS16WS-Q1,SM24C-Q1,GBJ3512-Q1,SS310-C-Q1,GBJ3506-Q1,GBJ5010-Q1,SS26-A-Q1,MMBT5551-Q1
功率高达8000瓦，工作温度 -55 to +150℃，车规级TVS和Trench工艺，VF低至0.4V，车规超薄肖特基
描述- 安邦半导体有限公司为业界领先的SiC二极管、Si二极管、MOS管芯片及封装制造商，拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，主要从事MOS、TVS、肖特基二极管等功率半导体器件的研发及生产。AS搭配洞察市场趋势的观察力，不断推出满足汽车电子类产品需求的产品。
型号- BAS70-Q1,1N4148W-Q1,BZT52CXX-Q1,SMBJ-Q1,SM8S SERIES,MMBT3906-Q1,SMAJ-Q1,SS24-B-Q1,SMCJ-Q1,MMBT5401-Q1,SM8S,BAT54C-Q1,MMBT3904-Q1,GBJ5006-Q1,S1M-A-Q1,SS36-C-Q1,S2M-B-Q1,BAT54S-Q1,SM3-C-Q1,BAS16WS-Q1,SS110-A-Q1,BAS21-Q1,BAT54A-Q1,GBJ3512-Q1,SM24C-Q1,SS310-C-Q1,GBJ3510-Q1,SM8SXXA-Q1,RB521S-30-Q1,GBJ3506-Q1,GBJ5010-Q1,SS34-C-Q1,GBJ5012-Q1,BZT52BXX-Q1,BAV99-Q1,MMBT5551-Q1,BAV70-Q1
安邦提供全系列半导体分立器件产品解决方案，封装类型丰富，广泛用于汽车电子、工业产品等领域
安邦成立于2012年，是一家业界领先的SiC二极管、Si二极管、MOS管芯片及封装制造商，拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，主要从事MOS、TVS、肖特基二极管等功率半导体器件的研发及生产；产品广泛应用在汽车电子，工业产品等领域。
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电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN；IC包装Tray/Tube/Tape；IC厂商不限，交期1-3天。支持IC测试（FT/SLT），管装、托盘装、卷带装包装转换，IC打印标记加工。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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