【应用】车规级MOS管BSS123-Q1应用于汽车激光雷达，静态漏电流仅1μA，连续漏极电流为200mA

时间： 2022-11-16 来源：世强

代理服务

技术支持

采购服务

激光雷达是车辆实现L3级以上智能驾驶必不可少的配置，我们可以将其视作汽车的眼睛，激光雷达可以更加精准地感知道路情况，电脑系统可根据雷达探测的信息对车辆发出相关指令，让车子实现更加出色的自动辅助驾驶功能。越来越多的厂家发力推进激光雷达的研制项目。某用户在激光雷达中需要用到车规级的MOS，主要是用于对激光的控制，我们推荐了安邦的车规级MOS管 BSS123-Q1，BSS123-Q1的静态漏电流仅为1μA，连续漏极电流为200mA，脉冲漏极电流可达800mA，漏源极电压可达100V。

下图为BSS123-Q1的漏源电阻与温度曲线关系图，由图可知：当Vgs=10V时，随着温度的升高漏源电阻也随之升高，最大不超过5Ω。

车规级MOS管BSS123-Q1应用于汽车激光雷达有如下优势：

1、静态漏电流仅为1μA，连续漏极电流可达200mA，漏源极电压可达100V，满足多场景应用；

2、它封装为SOT23，体积小巧，可以减小激光雷达的布板面积，优化产品空间；

3、 BSS123-Q1为车规级MOS，工作结温最高可达150℃，稳定性高；

4、它的性价比高，可以兼容多款非国产MOS。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由bluesky提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【应用】扬杰科技MOS管YJQ1216用于光模块，导通电阻低，采用DFN小封装利于产品小型化

在电信工业和微波电路设计领域，在插入的瞬间容易产生较大的浪涌电流以及其它一些干扰，为了防止对后级电路产生影响，客户会普遍使用MOS管达到电流缓启动的目的。扬杰科技推出的MOS管YJQ1216A，低导通电阻，采用DFN小封装，可应用于光模块缓启动上电。

2022-09-24 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】国产40V NMOS管RU4089L助力150W电源模块，导通电阻最大仅4mΩ

某150W电源模块产品主要采用典型的同步整流BUCK电路拓扑，本文主要介绍国产锐骏半导体40V NMOS管RU4089L应用在150W电源模块优势。

2022-04-28 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【选型】电控制板中成功替代P沟道MOS管AOS AO3401的30V/4.4A AS3401，参数基本一致、且不用改板

在2020下半年，MOS芯片短缺的情况下，不少客户将目光转向国产替代。在这个期间，本文推荐的安邦AS3401成功替代了某一家电控制板案子的AOS（万国半导体）AO3401。AS3401采用标准的SOT-23封装，与大多数欧美品牌的SOT-23封装尺寸接近，替代时无需考虑改板等问题，实现了pin-to-pin替代。

2021-02-03 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

安邦（ANBON）与其他品牌产品型号对照表

描述- 这份资料详细列出了多种类型的元器件，包括二极管、开关二极管、稳压二极管、MOSFET、瞬态二极管、三极管等，涵盖了不同的品牌和型号。资料中还包括了元器件的型号、封装类型以及一些技术参数。主要内容包括了元器件的描述、型号、封装和品牌信息。

型号- 2N7002E,MBR20150CT,SMAJ6.0CA,AS2101W,1N5408G,AD15N10S,SD103AX,SU15100-T,BZT52C27S,BZT52C15S,B5819WS,BAT52C5V1,BZX84C9V1,MMBT3904T,FR107G,SMAJ33CA,1N4007G,SR140,1N4148WS,AD60N04S,1N4148WT,AS3622S,BZT52C5V6,MMBT4401,MBR20100CT,SS510-C,BAT54S,BZT52C5V1S,DSK320,AS3416E,BAS21A,BAT54C,BAT54A,AS6385,BC817-25,BAT54CT,DSK24,1N4733A,SL34-B,SL34-A,AS7328S,DSK110,MBR10200CT,AD20N06S,BZX84C6V8,2N7002ET,AS3415E,HER103G,BZX84C2V7,ES2D-B,BZX84C2V4,ASB05DF,BAT46W,DSK14,BZT52C20S,BZT52C4V7,S1M-F,BZT52C6V8S,DSL14,KMB24S,BZX84C10,SS34-F,US3G-B,ES3J-C,SZ455G,AS53N06S,BZX84C16,DSL24,MMBT5551,BZX84C15,SS34-B,SS34-A,MMBT5401,SML4744A,1N4148W,BZT52B5V6,SL54-A,BSS123,S2M-B,MM5Z4V7C,S2M-A,BZT52C47S,BZT52B5V1,MMBT3904,BZT52C5V6S,MMBT3906,BZX84C3V9,AD12P06S,SMBJ30CA,AS4406S,BAV99,SS24-A,HER105G,AS2301,BZT52C10S,AS2302,BZT52C9V1S,AS2304,BSS138,BZT52C22S,GBLC24C,AS04N15,BZT52C18S,BZT52C3V3S,AS2305,BZT52C6V2S,DSU14,AS4435S,AS150N06S,SS8050,AS2312,AS3401,AS6005RS,GBLC05C,AS2310,AS3400,N/G,AS1012ET,BAV21WS,BZT52C13S,AS3407,BAV70,BZX84C4V7,BZX84C8V2,MMBD4148,AD25P06S,MMBT2222A,AS40P03S,ES2J-B,DHE1M,SM12,AS2324,BZT52C12S,TL431 精度0.5%,BC846B,BZT52C2V7,1N5352B,AD30N10S,SU5100-T,SMF6.0CA,BZT52C2V4,BZT52C24S,SMBJ40CA,SS36-B,BZT52B15,SS8550,SS210-B,BAV21W,DSR1M,SS210-A,RB551V-30,SMCJ22A,SS36-A

安邦 - 对照表代理服务技术支持采购服务

安邦半道體 COMPANY PROFILE

描述- 安邦半导体是一家专注于汽车和工业市场的功率半导体设计商和制造商，提供Si和SiC材料的分立器件产品。公司成立于1996年，总部位于中国深圳，拥有深圳、台湾和硅谷的研发中心，2023年营业额达1.6亿美元。产品包括IGBT、MOSFET、二极管等，应用于电动汽车、光伏、工业电机驱动等领域。公司采用全产业链（IDM）模式，提供从设计、制造到封装的完整解决方案，并拥有严格的车规级产品管控体系。

型号- ASZM01K170P,AS3100L,ASZM016120S7,ASZM01K170T,ASZM080120P,SMBJ,ASZM100HB13N120E2,ASZM080120T,ASZM040120PA,ASZM600FB2N120HD,ASZM030120P,ASZM040120D88,SM24C,ASZM0S0120N,ASZM030120T,ASZM016120T,ASZM360FB3N120HD,ASZM025065T,ASZM060065T,AS2M480FB2N120HD,2N7002EY,BZT52C SERIES,ASZM040065T,ASZM040120T,AS2324,ASZM028120T,ASZM040120P,ASZM104065P,ASZM028120P,ASZM040065L,S2M016120P,AS2102W,ASZM040120N,BZT52C,SMBJ SERIES,ASZM160120T,ASZM160120P,SM24,ASZM032120T,ASZM032120P

2024/8/29 - 安邦 - 商品及供应商介绍 - Ver 6.2 代理服务技术支持采购服务

安邦场效应管选型表

车规级别的场效应管，四种类别场效应管，分别是互补式，双通道，N沟道，P沟道，适用于超小型便携式电池管理，电子产品，负载切换，电源切换，接口切换，逻辑电平转换等。

RDS(ON)_Max @ VGS = 4.5V (mΩ)

RDS(ON)_Max @ VGS = 2.5V (mΩ)

RDS(ON)_Max @ VGS = 1.8V (mΩ)

选型表 - 安邦立即选型

安邦车规产品介绍

描述- 安邦车规产品介绍主要涵盖公司产品线、品质管控、应用领域和可靠性测试。产品包括SiC二极管、Si二极管、MOS管芯片及封装，满足汽车电子高可靠性要求。品质管控严格遵循IATF16949和AEC-Q101标准，持续改善以达到零缺陷目标。应用领域包括安全系统、多媒体系统、车身控制系统、动力系统等。可靠性测试包括高温高湿测试、温度循环测试、高加速寿命测试等。

型号- BZT52C7V5-Q1,1N4148W-Q1,MMBT3906-Q1,S2G-B-Q1,B5819W-Q1,SS56-C-Q1,BZX84BXX-Q1,SS26-B-Q1,ES2J-B-Q1,S1J-A-Q1,S2M-B-Q1,SS110-A-Q1,BAS21-Q1,BAT54A-Q1,GBJ3510-Q1,SM8SXXA-Q1,RB521S-30-Q1,BZX84CXX-Q1,SS34-C-Q1,GBJ5012-Q1,BAT54WS-Q1,BZT52BXXS-Q1,BZT52BXX-Q1,BAV99-Q1,SMBJ24A-Q1,BAV70-Q1,MMBT2222A-Q1,BAS70-Q1,BZT52CXX-Q1,SMBJ-Q1,SM8S SERIES,SMAJ-Q1,SS24-B-Q1,SMCJ-Q1,MMBT5401-Q1,SM8S,S3M-C-Q1,BAT54C-Q1,MMBT3904-Q1,GBJ5006-Q1,BZT52CXXS-Q1,1N4148WT-Q1,S1M-A-Q1,SS36-C-Q1,BAT54S-Q1,BAS16WS-Q1,SM24C-Q1,GBJ3512-Q1,SS310-C-Q1,GBJ3506-Q1,GBJ5010-Q1,SS26-A-Q1,MMBT5551-Q1

2022/6/20 - 安邦 - 商品及供应商介绍 - V.2.1 代理服务技术支持采购服务

二极管、MOS管 GB/T19001-2016/ISO9001:2015 质量管理体系认证证书 (Diode and MOSFET GB/T19001-2016/ISO9001:2015 QUALITY MANAGEMENT SYSTEM CERTIFICATE) (04624Q11035R0S)

2024-03-14 - 安邦 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

功率高达8000瓦，工作温度 -55 to +150℃，车规级TVS和Trench工艺，VF低至0.4V，车规超薄肖特基

描述- 安邦半导体有限公司为业界领先的SiC二极管、Si二极管、MOS管芯片及封装制造商，拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，主要从事MOS、TVS、肖特基二极管等功率半导体器件的研发及生产。AS搭配洞察市场趋势的观察力，不断推出满足汽车电子类产品需求的产品。

型号- BAS70-Q1,1N4148W-Q1,BZT52CXX-Q1,SMBJ-Q1,SM8S SERIES,MMBT3906-Q1,SMAJ-Q1,SS24-B-Q1,SMCJ-Q1,MMBT5401-Q1,SM8S,BAT54C-Q1,MMBT3904-Q1,GBJ5006-Q1,S1M-A-Q1,SS36-C-Q1,S2M-B-Q1,BAT54S-Q1,SM3-C-Q1,BAS16WS-Q1,SS110-A-Q1,BAS21-Q1,BAT54A-Q1,GBJ3512-Q1,SM24C-Q1,SS310-C-Q1,GBJ3510-Q1,SM8SXXA-Q1,RB521S-30-Q1,GBJ3506-Q1,GBJ5010-Q1,SS34-C-Q1,GBJ5012-Q1,BZT52BXX-Q1,BAV99-Q1,MMBT5551-Q1,BAV70-Q1

安邦 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务