【产品】杜因特推出的P沟道MOSFET DC007PG，采用先进的沟槽技术和设计，封装优良且散热效果好
杜因特推出的DC007PG P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优秀电阻RDS(on)。该器件应用范围十分广泛。
产品特点：
1）VDS=-30V，ID=-90A，RDS(ON)<6.4mΩ@VGS=-10V
2）低栅电荷
3）环保器件
4）采用先进的高单元密度沟槽技术，提供超低电阻RDS(on)
5）封装优良，散热效果好
绝对最大额定值：（除非另有说明，TC=25℃）
热特性：
封装(标识)及订购信息：
电特性：（除非另有说明，TC=25℃）
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由farewell翻译自杜因特，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】采用TO-252封装的P沟道MOSFET DE180PG，漏源电压为-60V
杜因特DE180PG P沟道MOSFET，具有低栅极电荷和极低的漏源导通电阻。其漏源电压为-60V，持续漏极电流为-7A（Tc=25℃），采用TO-252封装形式，可用于多种应用中。
产品 发布时间 : 2022-05-05
【产品】采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET DB010PG，漏源导通电阻＜10mΩ
杜因特推出的P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，具有优良的漏源导通电阻及低栅级电荷特性，应用广泛。VDS=-20V，ID=-65A，RDS(ON)＜10mΩ@VGS=-4.5V
产品 发布时间 : 2023-02-17
【产品】漏源电压-100V的P沟道MOSFET-DH050PG，漏源导通电阻＜52mΩ
DH050PG作为杜因特一款P沟道MOSFET，采用了先进的沟槽技术和设计，具有低栅极电荷和出色的RDS(ON)特性。当VGS=-10V，ID=-20A时，漏源导通电阻典型值为40mΩ，最大值为52mΩ（脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%）。
产品 发布时间 : 2022-04-23
【产品】P沟道MOSFET DE085PG采用先进的沟槽技术和设计，漏源导通电阻≤85mΩ，结到壳的热阻≤4℃/W
DE085PG是一款杜因特推出的P沟道MOSFET，具有低栅极电荷和出色的RDS(on)特性。当VGS=-10V，ID=-30A时，漏源导通电阻≤85mΩ ，结到壳的热阻最大值为4℃/W，结到环境的热阻＜62℃/W。
新产品 发布时间 : 2022-05-06
【产品】采用SOT-23-3封装的P沟道MOSFET DO2317A，结到环境的热阻最大值为69℃/W
杜因特推出的DO2317A是一款采用SOT-23-3封装的P沟道MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性，在热性能方面，结到环境的热阻最大值为69℃/W，并有广泛的应用领域。
产品 发布时间 : 2022-08-18
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论