【产品】杜因特推出的P沟道MOSFET DC007PG，采用先进的沟槽技术和设计，封装优良且散热效果好
杜因特推出的DC007PG P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优秀电阻RDS(on)。该器件应用范围十分广泛。
产品特点：
1）VDS=-30V，ID=-90A，RDS(ON)<6.4mΩ@VGS=-10V
2）低栅电荷
3）环保器件
4）采用先进的高单元密度沟槽技术，提供超低电阻RDS(on)
5）封装优良，散热效果好
绝对最大额定值：（除非另有说明，TC=25℃）
热特性：
封装(标识)及订购信息：
电特性：（除非另有说明，TC=25℃）
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杜因特MOS选型表
杜因特提供以下技术参数的MOSFET选型，耐压范围20V-900V，具有极低的导通电阻，封装规格突破16种，可根据客户需要定制低中高压及不同封装参数产品
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产品型号
|
品类
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VDSS(V)(MIN)
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ID(A) at 25℃
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VGS(V)(MAX)
|
Ciss(pF)(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
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|
DB010NG
|
MOSFET
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20V
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30A
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12V
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990pF
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8MΩ
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10MΩ
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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