【产品】漏源电压为20V的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926,采用高密度单元模块设计,提供超低漏源导通电阻
上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926,器件采用先进的沟槽工艺技术,提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)特性并具有低栅极电荷特征,器件适用于各种应用领域,诸如电源开关应用,硬件开关和高频电路以及不间断电源(UPS)等。
产品特征
VDS=20V,ID=6A
RDS(ON)<30mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)< 40mΩ@VGS=2.5V
采用高密度单元模块设计,提供超低漏源导通电阻(Rdson)特性
完全表征的雪崩电压和电流
产品应用
电源开关应用
开关和高频电路
不间断电源(UPS)
绝对最大额定值(在TC=25℃时,除非另有说明)
电气参数(在TC=25℃时,除非另有说明)
注:
1:重复额定值:脉冲宽度受限于最高结温
2:表面贴装在FR4板上,t≤10s
3:脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;
4:由设计保证,不经过生产测试
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