【产品】漏源电压为20V的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，采用高密度单元模块设计，提供超低漏源导通电阻
上海贝岭推出的N沟道增强型功率MOSFET BLM9926，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)特性并具有低栅极电荷特征，器件适用于各种应用领域，诸如电源开关应用，硬件开关和高频电路以及不间断电源(UPS)等。
产品特征
VDS=20V，ID=6A
RDS(ON)<30mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)< 40mΩ@VGS=2.5V
采用高密度单元模块设计，提供超低漏源导通电阻(Rdson)特性
完全表征的雪崩电压和电流
产品应用
电源开关应用
开关和高频电路
不间断电源(UPS)
绝对最大额定值(在TC=25℃时，除非另有说明)
电气参数(在TC=25℃时，除非另有说明)
注：
1：重复额定值：脉冲宽度受限于最高结温
2：表面贴装在FR4板上，t≤10s
3：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
4：由设计保证，不经过生产测试
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产品型号
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品类
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BV(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.
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VTH (V) Min.
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VTH (V) Typ.
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VTH (V) Max.
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Package
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BLM1216Y
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沟槽场效应晶体管
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-12
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-8
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-
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-
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11.5
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18
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14
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22
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-0
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-1
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-1
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SOT23
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